Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста.

Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую полную ширину на половине максимума (358 угловых секунд) кривой ω-качания (004) и гладкую поверхность с низкой среднеквадратичной шероховатостью около 6 нм, что характерно для гетероэпитаксиальных монокристаллических пленок. Кроме того, мы исследовали влияние толщины слоя тонкой пленки GaSb на плотность дислокаций по спектрам комбинационного рассеяния. Считается, что наше исследование может предоставить ценную информацию для изготовления высококристаллические пленки GaSb и может повысить вероятность интеграции устройств среднего инфракрасного диапазона, изготовленных на традиционных электронных устройствах.

Источник: iopscience

Для получения дополнительной информации о наших высококачественных продуктах, таких как GaSb Wafer , GaSb подложка пожалуйста, посетите наш сайт:semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо наangel.ye@powerwaywafer.com или жеpowerwaymaterial@gmail.com ,