CZ-кремний
сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специальных компонентов.
cz монокристаллический кремний
CZ-кремний
сильно / слегка легированный cz монокристаллический кремний подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специальных компонентов.
MCZ
магнитное поле используется в чохральском процессе для получения cz монокристаллический кремний с характеристиками низкого содержания кислорода и высокой однородностью удельного сопротивления; MCZ кремний подходит для производства кремниевых материалов для различной ics, дискретных устройств и малоосновных солнечных батарей.
cz сильно легированный кристалл
применяя специальное допинговое устройство и cz-процесс, сильно легированные (p, sb, as) cz монокристаллический кремний с очень низким удельным сопротивлением, в основном используется в качестве облицовочного материала для эпитаксиальных пластин и используется для изготовления специальных электронных устройств для источников питания lsi, диодов Шоттки и высокочастотных силовых электронных устройств с полевым контролем.
u0026 Л; 110 u0026 GT; специальная ориентация CZ-кремний
u0026 lt; 110 u0026 gt; монокристаллический кремний имеет первоначальную ориентацию u0026 lt; 110 u0026 gt;, дальнейшая обработка для регулировки ориентации не нужна; u0026 lt; 110 u0026 gt; монокристаллический кремний имеет характеристики идеальной кристаллической структуры и низкий уровень кислорода & углерода, является новым материалом солнечных элементов и может быть использован материал нового поколения.
наши преимущества с первого взгляда
1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.
2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.
Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов
спецификация cz монокристаллического кремния
|
тип |
тип проводимости |
ориентация |
Диаметр (мм) |
проводимость (Ω • см) |
|
CZ |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 Lt; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
1-300 |
|
MCZ |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 Lt; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
1-300 |
|
большегрузных легирование |
п u0026 амп; р |
u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 Lt; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT; |
76.2-200 |
0,001-1 |
спецификация пластины
|
u0026 ЕПРС; |
Диаметр (мм) |
толщина (мкм) |
|
вафля |
76.2-200 |
≥ 160 |
FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5
pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину
кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5
fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)
травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5
xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5
pwam разрабатывает и производит составные полупроводниковые подложки - кристалл арсенида галлия и вафли. Мы использовали передовые технологии выращивания кристаллов, технологию вертикальной градиентной заморозки (vgf) и технологии обработки валов gaas, создали производственную линию от роста кристаллов, резки, шлифования до обработки полировки и по5
Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого ка5
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
