Главная / продукты / gaas wafer /

gaas epiwafer

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

gaas epiwafer

gaas epiwafer


мы производим различные типы полупроводниковых материалов n-типа с полупроводниковыми материалами типа n-типа, основанные на ga, al, in, as и p, выращенные mbe или mocvd. мы поставляем таможенные структуры для удовлетворения требований заказчика. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.


  • информация о продукте

gaas epiwafer


мы производим различные типы полупроводниковых материалов n-типа с полупроводниковыми материалами типа n-типа, основанные на ga, al, in, as и p, выращенные mbe или mocvd. мы поставляем таможенные структуры для удовлетворения требований заказчика. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.

у нас есть номера из общего поколения veeco gen2000, gen200 крупномасштабного производства линии эпитаксиального оборудования, полный набор xrd; пл-картирование; surfacecan, и другое оборудование для анализа и тестирования мирового класса. компания имеет более 12 000 квадратных метров вспомогательных установок, включая суперчистый полупроводник мирового класса, а также связанные с этим исследования и разработки для молодого поколения чистых лабораторных объектов


спецификация для всех новых и признанных продуктов mbe iii-v составная полупроводниковая epi-пластина:


материал подложки

материальная способность

заявление

СаАз

низкотемпературные газы

ТГц

СаАз

GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs

диод Шоттки

вх

InGaAs

контактный детектор

вх

вх / вх / InGaAsP / вх / InGaAs

лазер

СаАз

GaAs / AlAs / GaAs

u0026 ЕПРС;

вх

вх / inasp / InGaAs / inasp

u0026 ЕПРС;

СаАз

GaAs / InGaAsN / AlGaAs

u0026 ЕПРС;

/ GaAs / AlGaAs

вх

вх / InGaAs / InP

фотоприемники

вх

вх / InGaAs / InP

u0026 ЕПРС;

вх

вх / InGaAs

u0026 ЕПРС;

СаАз

GaAs / InGaP / GaAs / alinp

солнечная батарея

/ InGaP / alinp / InGaP / alinp

СаАз

GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / galnp / galnas

солнечная батарея

/ Galnp / GaAs / AlGaAs / allnp / galnp / allnp / galnas

вх

вх / GaInP

u0026 ЕПРС;

СаАз

GaAs / alinp

u0026 ЕПРС;

СаАз

GaAs / AlGaAs / galnp / AlGaAs / GaAs

703 нм лазер

СаАз

GaAs / AlGaAs / GaAs

u0026 ЕПРС;

СаАз

GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs

НЕМТ

СаАз

GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs

mhemt

СаАз

GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / разрыв

светодиодная лампа, твердотельное освещение

СаАз

GaAs / galnp / AlGaInP / GaInP

635 нм, 660 нм, 808 нм, 780 нм, 785 нм,

/ gaasp / gaas / gaas субстрат

950 нм, 1300 нм, 1550 нм лазер

GaSb

AlSb / gainsb / InAs

инфракрасный детектор, штырь, зондирование, ir cemera

кремний

inp или gaas на кремнии

высокоскоростные ИС / микропроцессоры

InSb

легированный бериллием

u0026 ЕПРС;

/ нелегированный insb / te легированный insb /



для более подробной спецификации, пожалуйста, просмотрите следующее:


lt-gaas epi слой на подложке гааса


gaas schottky диодные эпитаксиальные пластины


ingaas / inp epi wafer для штифта


ingaasp / ingaas на подложках inp

gaas / alas wafer

эпитаксиально на газах или inp-пластинах


структура для фотодатчиков

inp / ingaas / inp epi wafer


структура структуры ingaas

algap / gaas epi wafer для солнечных батарей

тройные солнечные элементы

гааз-эпитаксия

Полупроводниковые приборы

alinp / gaas epi wafer


слоистая структура лазера на 703 нм

808 нм лазерные пластины

Лазерные пластины 780 нм

gaas pin epi wafer

gaas / algaas / gaas epi wafer

gaas на основе эпитаксиальной пластины для led и ld, см. ниже.

algainp epi wafer

желто-зеленый algainp / gaas led wafer: 565-575 нм


gaas hemt epi wafer

gaas phemt epi wafer (gaas, algaas, ingaas), см. ниже.

gaas mhemt epi wafer (mhemt: метаморфический транзистор с высокой подвижностью электронов)

gaas hbt epi wafer (gaas hbt - биполярные переходные транзисторы, которые состоят из по меньшей мере двух разных полупроводников, которые по технологии, основанной на газах.) Металлический полупроводниковый полевой транзистор (mesfet)


транзистор полевого эффекта гетероперехода (hfet)

транзистор с высокой электронной подвижностью (кромка)

псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (phemt)

резонансный туннельный диод (rtd)

контактный диод

устройства эффекта зала

переменный емкостной диод (vcd)

теперь мы перечислим некоторые характеристики:


gaas hemt epi wafer, размер: 2 ~ 6inch

пункт

технические характеристики

замечание

параметр

аль  состав / состав / сопротивление листа

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

зал  концентрация подвижности / 2deg

измерительная техника

Рентгеновский  дифракция / вихревой ток

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

бесконтактный зал

типичный клапан

Struture  зависимый

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

5000 ~ 6500cm 2 / v  · S / 0,5 ~ 1,0x10 12 см -2

стандарт  толерантность

не ± 0,01 / ± 3% / нет

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел


гаас (арсенид галлия) phemt epi wafer , размер: 2 ~ 6inch

пункт

технические характеристики

замечание

параметр

аль  состав / состав / сопротивление листа

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

зал  концентрация подвижности / 2deg

измерительная техника

Рентгеновский  дифракция / вихревой ток

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

бесконтактный зал

типичный клапан

Struture  зависимый

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

5000 ~ 6800cm 2 /v.s/2.0~3.4x10 12 см -2

стандарт  tolaerance

не ± 0,01 / ± 3% ни

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

примечание: gaas phemt: по сравнению с gaas hemt, gaas phemt также включает inxga1-xas, где inxas ​​ограничено x u0026 lt; 0,3 для устройств на основе gaas. структуры, выращенные с той же постоянной решетки, что и гемт, но разные зонные щели просто называются решетчатыми геттами.


gaas mhemt epi wafer, размер: 2 ~ 6inch

пункт

технические характеристики

замечание

параметр

в  состав / сопротивление листа

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

зал  концентрация подвижности / 2deg

измерительная техника

Рентгеновский  дифракция / вихревой ток

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

бесконтактный зал

типичный клапан

Struture  зависимый

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел

8000 ~ 10000cm 2 / v  · S / 2,0 ~ 3,6 × 10 12 см -2

стандарт  толерантность

± 3% / нет

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел


inp hemt epi wafer, размер: 2 ~ 4inch

пункт

технические характеристики

замечание

параметр

в  состав / сопротивление листа / мобильность зала

пожалуйста свяжитесь  наш технический отдел


примечание: гаас (арсенид галлия) представляет собой составной полупроводниковый материал, смесь двух элементов, галлия (га) и мышьяка (как). использование арсенида галлия варьируется и включает в себя использование в led / ld, полевых транзисторах (fets) и интегральных схемах (ics)


устройства

RF-переключатель

мощные и малошумящие усилители

датчик Холла

оптический модулятор

беспроводной: мобильный телефон или базовые станции

автомобильный радар

МИС, RFIC

волоконно-оптическая связь


gaas epi wafer для серии led / ir:


1.Общее описание:

1.1 метод роста: mocvd

1.2 gaas epi wafer для беспроводной сети

1.3 gaas epi wafer для led / ir и ld / pd


Спецификации 2.epi wafer:

2.1 размер пластины: диаметр 2 "

Структура пластины 2.2epi (сверху вниз):

р + GaAs

р-разрыв

п-AlGaInP

MQW-AlGaInP

н-AlGaInP

dbr n-algaas / alas

буфер

гааз-субстрат


3.chip sepcification (основание на 9 милях * 9 мил чипов)


3.1 параметр

размер стружки 9mil * 9mil

толщина 190 ± 10 мкм

диаметр электрода 90 мкм ± 5 мкм


3.2 оптико-elctric характеры (ir = 20ma, 22 ℃)

длина волны 620 ~ 625 нм

прямое напряжение 1,9 ~ 2,2v

обратное напряжение ≥10v

обратный ток 0-1ua


3.3 символов интенсивности света (ir = 20ma, 22 ℃)

iv (mcd) 80-140


3.4 epi волновая длина волны

пункт

Ед. изм

красный

желтый

желто-зеленый

описание

длина волны (λ d )

нм

585,615,620 ~  630

587 ~ 592

568 ~ 573

я е = 20 мА


методы роста: mocvd, mbe

эпитаксия = рост пленки с кристаллографической зависимостью между пленкой и субстратной гомоэпитаксией (аутоэпитаксия, изоэпитаксия) = пленка и субстрат - это одна и та же материальная гетероэпитаксия = пленка и субстрат - разные материалы, более подробная информация о методах роста, пожалуйста, нажмите следующее: http: // www .powerwaywafer.com / вафельные-technology.html

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.
предмет : gaas epiwafer

сопутствующие товары

кристалл гааса

газы (арсенид галлия)

pwam разрабатывает и производит составные полупроводниковые подложки - кристалл арсенида галлия и вафли. Мы использовали передовые технологии выращивания кристаллов, технологию вертикальной градиентной заморозки (vgf) и технологии обработки валов gaas, создали производственную линию от роста кристаллов, резки, шлифования до обработки полировки и по5

германиевая подложка

ge (германий) монокристаллы и вафли

pam предлагает полупроводниковые материалы, монокристаллическую (ge) германиевую пластину, выращенную vgf / lec

кремниевая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

кремниевая пластина

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

gan hemt epitaxy

gan hemt эпитаксиальная пластина

нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире ,5

sic wafer

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

в субстрате

inas wafer

xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5

литография

Нанофабрикация

pam-xiamen предлагает фоторезистскую пластину с фоторезистом мы можем предложить нанолитографию (фотолитография): подготовка поверхности, фоторезист, мягкое выпекание, выравнивание, экспозиция, разработка, твердый выпекание, разработка инспекции, травление, удаление фоторезиста (полоска), окончательная проверка.5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.