Главная / продукты / кремниевая пластина /

эпитаксиальная кремниевая пластина

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

эпитаксиальная кремниевая пластина

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (такой как оксид или поли-си) между объемной подложкой si и верхним эпитаксиальным слоем)


  • информация о продукте

эпитаксиальная кремниевая пластина


кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, осажденного на монокристалл кремниевая пластина (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированного однокристаллического кремниевая пластина , но для этого необходим буферный слой (такой как оксид или поли-си) между объемной подложкой si и верхним эпитаксиальным слоем)


эпитаксиальный слой может быть легирован, когда он осаждается, до точной концентрации легирования, продолжая кристаллическую структуру субстрата.


Эпиляторное сопротивление: u0026 lt; 1 Ом-см до 150 Ом-см

толщина эпилятора: 1 мкм до 150 мкм

структура: n / n +, n- / n / n +, n / p / n +, n / n + / p-, n / p / p +, p / p +, p- / p / p +.


Применение пластин: цифровое, линейное, силовое, mos, bicmos.


наши преимущества с первого взгляда

1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов


6 "спецификации пластины:

пункт

u0026 ЕПРС;

Спецификация

подложка

sub spec no.

u0026 ЕПРС;

рост слитков  метод

CZ

проводимость  тип

N

добавка

в виде

ориентация

(100) ± 0,5 °

удельное сопротивление

0.005ohm.cm

RRG

15%

[oi] контент

8 ~ 18 ppma

диаметр

150 ± 0,2 мм

первичная квартира  длина

55 ~ 60 мм

первичная квартира  место нахождения

{110} ± 1 °

во-вторых, квартира  длина

пол

во-вторых, квартира  место нахождения

пол

толщина

625 ± 15 мкм

задняя сторона  характеристики:

u0026 ЕПРС;

1 , BSD / поли-си (а)

1.bsd

2 , sio2

2.lto: 5000 ± 500 a

3 , исключение

3.ee:?0.6 мм

лазерная маркировка

никто

передняя поверхность

зеркальный полированный

эпи

состав

п / п +

добавка

фос

толщина

3 ± 0,2 мкм

thk.uniformity

5%

измерение  должность

центр (1 pt)  10 мм от края (4 точки при 90 градусов)

расчет

[Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] х  100%

удельное сопротивление

2,5 ± 0,2 Ом · см

res.uniformity

5%

измерение  должность

центр (1 pt)  10 мм от края (4 точки при 90 градусов)

расчет

[Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] х  100%

ошибка стека  плотность

2 ( еа / см2 )

мгла

никто

царапины

никто

кратеры , апельсиновая корка ,

никто

краевая крона

Толщина 1/3 epi

скольжения (мм)

Общая длина 1dia

инородное вещество

никто

задняя поверхность  загрязнение

никто

общая точка  дефекты (частицы)

30@0.3um

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

кремниевая пластина

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

кремниевая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

кремниевая пластина

cz монокристаллический кремний

CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5

кремниевая пластина

полированная пластина

fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)

кремниевая пластина

травильная пластина

травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5

Нанофабрикация

фото маски

Предложения pam-xiamen фотошаблонов фотомаска - это тонкое покрытие маскирующего материала, поддерживаемого более толстой подложкой, и маскирующий материал в разной степени поглощает свет и может быть выполнен с использованием индивидуального дизайна. шаблон используется для модуляции света и передачи картины через процесс фотолитографии, который я5

sic wafer

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

ган на кремнии

автономный газовый субстрат

pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов.5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.