Главная / продукты / кремниевая пластина /

травильная пластина

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

травильная пластина

травильная пластина

травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шероховатостью, низкой отражательной способностью и высокой отражательной способностью.

  • информация о продукте

травильная пластина


травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть низкая шероховатость, низкая отражательная способность и высокая отражательная способность травильные пластины ,


наши преимущества с первого взгляда

1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов


Технические характеристики

тип

тип проводимости

ориентация

диаметр  Объем (мм)

удельное сопротивление  объем (Ω см)

геометрический  параметр, зернистость, поверхностный металл

фз

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

u0026 GT; 1000

t≥180 ( гм ) ttv≤2 ( гм ) tir≤2 ( гм ) максимум  коэффициент отражения может составлять 90%

ntdfz

N

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

30-800

CFZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-50

gdfz

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

0.001-300

спецификация cz для травления

тип

тип проводимости

ориентация

диаметр  Объем (мм)

удельное сопротивление  объем (Ω см)

геометрический  параметр, зернистость, поверхностный металл

MCZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT;  u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-300

t≥180 ( гм ) ttv≤2 ( гм ) tir≤2 ( гм ) максимум  коэффициент отражения может составлять 90%

CZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT;  u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-300

mcz тяжело  легированный

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT;  u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

0,001-1

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

кремниевая пластина

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

кремниевая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

кремниевая пластина

cz монокристаллический кремний

CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5

кремниевая эпитаксия

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5

кремниевая пластина

полированная пластина

fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)

подложка

встроенная пластина

xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5

кристалл

сик-эпитаксия

мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5

щелевой подложка

зазоре

Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.