Главная / продукты / кремниевая пластина /

полированная пластина

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

полированная пластина

полированная пластина

fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)

  • информация о продукте

полированная пластина


фз полированные вафли , главным образом для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)


наши преимущества с первого взгляда

1. усовершенствованное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Предлагайте высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

Поддержка поддержки и поддержки исследовательской группы 3.strong для наших клиентов


Технические характеристики fz отполированных вафель


тип

тип проводимости

ориентация

диаметр (мм)

удельное сопротивление  объем (Ω см)

геометрический  зернистость параметров, поверхностный металл

фз

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

u0026 GT; 1000

T 260 ( гм ) TTV 2 ( гм ) гроза с дождем 2 ( гм ) размешать 1 ( гм ) (20 * 20) зернистость 10 шт( 0,3 мкм), 20шт ( 0.2um) поверхностный металл 5e10 / см 2 bsd: плотность etchpit u0026 gt; 1e106 штук /см 2 поли: 5000-12000 a

ntdfz

N

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

30-800

CFZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-50

gdfz

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

0.001-300


cz полированные спецификации вафель

тип

тип проводимости

ориентация

диаметр  Объем (мм)

удельное сопротивление  объем (Ω см)

геометрический  зернистость параметров, поверхностный металл

MCZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT;  u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-300

T 260 ( гм ) TTV 2 ( гм ) гроза с дождем 2 ( гм ) размешать 1 ( гм ) (20 * 20) зернистость 10 шт( 0.3um) , 20шт ( 0.2um) поверхностный металл 5e10 / см 2 bsd: плотность etchpit u0026 gt; 1e10 6шт /см 2 LTO: 3500 ~ 8000 ± 250а

CZ

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT;  u0026 Л; 110 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

1-300

mcz тяжело  легированный

п u0026 амп; р

u0026 Л; 100 u0026 GT; u0026 амп; u0026 Lt; 111 u0026 GT;

76.2-200

0,001-1

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

кремниевая пластина

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

кремниевая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

кремниевая пластина

cz монокристаллический кремний

CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5

кремниевая эпитаксия

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5

кремниевая пластина

травильная пластина

травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5

в субстрате

inas wafer

xiamen powerway предлагает ines wafer - арсенид индия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).5

gan expitaxy

на основе эпитаксиальной пластины

Эпитаксиальная пластина на основе ламината pam-xiamen's (галлиевого нитрида) предназначена для применения в ультра-высокой яркости синего и зеленого светодиодов (светодиодных) и лазерных диодов (ld).5

inp субстрат

inp wafer

xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.