Главная / продукты / sic wafer /

Реставрация

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

Реставрация

Реставрация

pam-xiamen может предложить следующие услуги по рекуперации.

  • информация о продукте

sic reclaim wafer & обработка


pam-xiamen может предложить следующее Решетчатая пластина Сервисы.

sic reclaim wafer:

pam-xiamen способен через собственные процедуры возврата, чтобы предложить Решетчатая пластина услуги для производителей светодиодов, радиочастотных или силовых устройств. Можно удалить эпи, эпидерми или слоями устройства, а затем отполировать поверхность до состояния готовности epi, которое наши клиенты могут повторить снова, чтобы снизить стоимость. Мы можем даже шероховатость поверхности гарантированности 0,3 нм по требованию заказчика. Каждая пластина на cmp или наклеена или вытравлена ​​для удаления рисунков, царапин и других дефектов. результатом является чистая высококачественная пластина, которая готова к полировке и чистке. по завершении процесса регенерации, чтобы убедиться, что готовые вафли полностью соответствуют стандартам и спецификациям клиентов, мы сделаем окончательную проверку качества перед упаковкой. Мы положили регенерированные пластины в контейнеры. контейнеры с двойным мешком и маркированы. в качестве последнего шага мы предоставляем сертификат соответствия и / или анализа, если необходимо, для проверки качества продукта.


ниже представлено изображение afm после cmp в качестве примера:

подготовка поверхности : pam-xiamen разработал с использованием своего многолетнего опыта в очистке пластин из карбида кремния, который способен доставлять чистое металлическое загрязнение на новых подложках.

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.
предмет : Реставрация

сопутствующие товары

кристалл

сик-эпитаксия

мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5

кристалл

субстрат

pam-xiamen предлагает полупроводниковые пластины из карбида кремния, 6h sic и 4h sic в разных классах качества для исследователя и промышленными производителями. мы разработали технологию выращивания кристаллов sic и технологию обработки кристаллов sic crystal, установила производственную линию для изготовителя sic-субстрата, который применяется в 5

sic wafer

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

CZT

детектор czt

pam-xiamen обеспечивает детекторы на основе czt методом твердотельного детектора для рентгеновского или гамма-излучения, который имеет лучшее энергетическое разрешение по сравнению со детектором на основе сцинтилляционного кристалла, включая плазменный детектор czt, czt pixilated detector, czt co-planar gri5

sic wafer

sic application

благодаря сильным физическим и электронным свойствам устройство на основе карбида кремния хорошо подходит для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационностойких и высокомощных / высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройством на основе si и gaas.5

синий лазер

gan шаблоны

Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого ка5

кристалл

сик-эпитаксия

мы предоставляем индивидуальную экситаксию тонкой пленки (карбид кремния) на подложках 6h или 4h для разработки устройств из карбида кремния. sic epi wafer в основном используется для диодов Шоттки, полупроводниковых полевых транзисторов с металлическим оксидом, транзисторов с полевым эффектом перехода, биполярных транзисторов, тиристоров, gto и из5

ган на кремнии

автономный газовый субстрат

pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов.5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.