Главная / продукты / кремниевая пластина /

тестовая пластина

продукты

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

тестовая пластина

тестовая пластина

pam-xiamen предлагает фиктивную пластину / тестовую пластину / мониторную пластину

  • информация о продукте

тестовая пластина


Предложения pam-xiamen фиктивная пластина / тестовая пластина / мониторная пластина

фиктивные вафли (также называемый испытательные пластины ) являются ваферами, которые в основном используются для экспериментов и испытаний и различаются

из общих пластин для продукта. соответственно, регенерированные вафли в основном применяются как фиктивные вафли ( испытательные пластины ).

фиктивные вафли часто используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и

используются для проверки доставки и оценки формы процесса. в виде фиктивные вафли часто используются для экспериментов и испытаний,

размер и толщина которых являются важными факторами в большинстве случаев.

в каждом процессе определяют толщину пленки, сопротивление давлению, показатель отражения и присутствие пинбола, используя

фиктивные вафли ( испытательные пластины ). также, фиктивные вафли ( испытательные пластины ) используются для измерения размера рисунка, проверки

дефекта и т. д. в литографии.

мониторы являются вафли, которые должны использоваться в случае, когда требуется корректировка на каждом этапе производства

до фактического производства. например, когда условия каждого процесса установлены, например, случай

измерительный допуск устройства против (толщины) толщины подложки, мониторы используются как

замена высокоэффективных и высокоценных пластин. кроме того, они также используются для целей мониторинга в

процесс вместе с продуктовыми пластинами. мониторы необходимы вафельные материалы, такие же важные, как продукт

простые вафли. их также называют испытательные пластины вместе с фиктивные вафли ,

для получения дополнительной информации о продукте или если у вас есть требуемая спецификация, свяжитесь с нами по адресу luna@powerwaywafer.com или по адресу powerwaymaterial@gmail.com.


тестовая пластина

односторонняя полировка тестовая пластина n тип (200nos)

sl no

пункт

SCL  технические характеристики

1

метод выращивания

CZ

2

диаметр пластины

150 ± 0,5 мм

3

толщина пластины

675 ± 25 мкм

4

поверхность пластины  ориентация

u0026 Л; 100 u0026 GT; ± 2 °

5

добавка

фосфор

6

вывих  плотность

меньше, чем  5000 / см2

8

удельное сопротивление

4-7Ωcm

9

радиальный  изменение удельного сопротивления (макс.)

15%

10

ровность

u0026 ЕПРС;

10a

·  лук (макс.)

60 мкм

10b

·  tir (макс.)

6 мкм

10с

·  конусность (макс.)

12 мкм

10d

·  деформация (макс.)

60 мкм

11

первичный  квартира

u0026 ЕПРС;

11а

·  длина

57,5 ± 2,5 мм

11b

·       ориентация

{110} ± 2 ° по  полустандарт

11с

вторичный  квартира

по полу  стандарт

12

передняя поверхность  Конец

зеркальный полированный

13

Максимум. частицы  от размера ≥ 0,3 мкм

30

14

·  царапины, дымка, крошечные чипсы, апельсиновая корка и amp; другие дефекты

ноль

15

задняя поверхность

без ущерба  травленый

16

упаковка  требование

должен быть вакуумом  запечатанные в классе «10» в двухслойной упаковке.  отправлены в фторопласт или два грузоотправителя вафли или аналогичные  ультрачистый полипропилен


двусторонняя полировка тестовая пластина n тип (150 nos)

sl no

пункт

SCL  технические характеристики

1

метод выращивания

CZ

2

диаметр пластины

150 ± 0,5 мм

3

толщина пластины

675 ± 25 мкм

4

поверхность пластины  ориентация

u0026 Л; 100 u0026 GT; ± 2 °

5

добавка

фосфор

6

вывих  плотность

меньше, чем  5000 / см2

8

удельное сопротивление

4-7Ωcm

9

радиальный  изменение удельного сопротивления (макс.)

15%

10

ровность

u0026 ЕПРС;

10a

·  лук (макс.)

60 мкм

10b

·  tir (макс.)

6 мкм

10с

·  конусность (макс.)

12 мкм

10d

·  деформация (макс.)

60 мкм

11

первичная квартира

u0026 ЕПРС;

11а

·  длина

57,5 ± 2,5 мм

11b

·       ориентация

{110} ± 2 ° по  полустандарт

11с

вторичная квартира

по полу  стандарт

12

передняя поверхность  Конец

зеркальный полированный

13

Максимум. частицы  от размера ≥ 0,3 мкм

30

14

·  царапины, дымка, краевые чипы,

ноль

апельсиновая корка  u0026 Амп; другие дефекты

15

задняя поверхность

зеркальный полированный

16

упаковка  требование

должен быть вакуумом  запечатанный в классе '10'
окружающая среда в двухслойной упаковке.
вафли должны быть отправлены во флюсору
orion два грузоотправителя вафли или эквивалент
сделать из ультрачистого полипропилена


мониторная пластина / фиктивная пластина

монитор / фиктивная кремниевая пластина

диаметр пластины

полированный

поверхность пластины

толщина пластины

удельное сопротивление

частица

ориентация

4 "

1 сторона

100/111

250-500μm

0-100

0.2μm≤qty30

6 "

1 сторона

100

500-675μm

0-100

0.2μm≤qty30

8 "

1 сторона

100

600-750μm

0-100

0.2μm≤qty30

12 "

2 стороны

100

650-775μm

0-100

0.09μm≤qty100


регенерированные 200 мм пластины

пункт#

параметр

единицы

стоимость

заметки

1

метод роста

u0026 ЕПРС;

CZ

u0026 ЕПРС;

2

ориентация

u0026 ЕПРС;

1-0-0

u0026 ЕПРС;

3

удельное сопротивление

Ωм.см

1-50

u0026 ЕПРС;

4

тип / легирующий

u0026 ЕПРС;

р, п /

u0026 ЕПРС;

бор,  фосфор

5

толщина

мкм

1гр. - 620,

u0026 ЕПРС;

2гр. - 650

3гр. - 680

4гр. - 700

5гр. - 720

6

gbir (ttv

мкм

1-3гр. u0026 Л; 30,

u0026 ЕПРС;

4-5гр. u0026 Л; 20

7

glfr (tir

мкм

u0026 Л; 10

u0026 ЕПРС;

8

деформироваться

мкм

u0026 Л; 60

u0026 ЕПРС;

9

лук

мкм

u0026 Л; 40

u0026 ЕПРС;

10

металл  загрязнение

1 / см2

u0026 Lt; 3E10

u0026 ЕПРС;

11

передняя поверхность

u0026 ЕПРС;

полированный

u0026 ЕПРС;

12

передняя поверхность  визуальный:

u0026 ЕПРС;

u0026 ЕПРС;

u0026 ЕПРС;

дымка, царапины,  пятна, пятна

u0026 ЕПРС;

никто

апельсиновая корка

u0026 ЕПРС;

никто

трещины, кратеры

u0026 ЕПРС;

никто

13

лицевая сторона lpd:

u0026 ЕПРС;

u0026 ЕПРС;

количество вафель  с указанным значением параметра должно быть не менее 80% партии,

u0026 Lt; 0,12мкм

u0026 ЕПРС;

u0026 Л; 100

u0026 Lt; 0,16мая

u0026 ЕПРС;

u0026 Л; 50

u0026 Lt; 0,20мая

u0026 ЕПРС;

u0026 Л; 20

u0026 Lt; 0,30мая

u0026 ЕПРС;

u0026 Л; 10


свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.

сопутствующие товары

кремниевая пластина

монокристаллический кремний с плавающей зоной

FZ-кремний моноплан кремний с характеристиками с низким содержанием инородных материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой образуется с процессом с плавающей зоной; во время роста кристалла не вводится посторонний материал. удельная проводимость fz-кремния обычно превышает 1000 Ом-см, а fz-кремний в основном использ5

кремниевая пластина

cz монокристаллический кремний

CZ-кремний сильнокристаллический кремний cz cly / легко легированный, подходит для производства различных интегральных схем (IC), диодов, триодов, солнечной панели с зеленой энергией. могут быть добавлены специальные элементы (такие как ga, ge) для создания высокоэффективных, радиационно-стойких и антидегенерирующих солнечных элементов для специаль5

кремниевая эпитаксия

эпитаксиальная кремниевая пластина

кремниевая эпитаксиальная пластина (epi wafer) представляет собой слой монокристаллического кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: имеется возможность выращивать слой поликристаллического кремния поверх высоколегированной однослойной кристаллической кремниевой пластины, но для этого требуется буферный слой (так5

кремниевая пластина

полированная пластина

fz полированные пластины, в основном для производства кремниевого выпрямителя (sr), кремниевого выпрямителя (scr), гигантского транзистора (гтп), тиристорного (gro)

кремниевая пластина

травильная пластина

травильная пластина имеет характеристики низкой шероховатости, хорошей глянцевитости и относительно низкой стоимости и непосредственно заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, чтобы снизить затраты. есть пластины с низкой шер5

gan hemt epitaxy

gan hemt эпитаксиальная пластина

нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире ,5

щелевой подложка

зазоре

Сямынь Powerway предлагает щелевую пластину - фосфид галлия, которые выращены lec (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-тип или полуизоляция в различной ориентации (111) или (100).5

ган на кремнии

автономный газовый субстрат

pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов.5

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.