Эффект протон-облучения 3,0 мэв на СаАз средняя ячейка и верхняя ячейка gainp n + -p GaInP / GaAs / GE трехэлементные (3j) солнечные элементы были проанализированы с использованием температурно-зависимой техники фотолюминесценции (pl). электронная ловушка e5 (ec - 0,96 эв) в средней ячейке гааса, дырочная ловушка h2 (ev + 0,55 эв) в верхней ячейке с усилением p идентифицируется соответственно как центры излучательной рекомбинации, индуцированные протонным облучением, деградации тройных солнечных элементов. средняя ячейка гааса менее устойчива к протонному облучению, чем верхняя ячейка gainp.
Источник: iopscience
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
