из-за различного расположения атомов si и c в sic-кристаллической решетке каждый si-политип
обладает уникальными фундаментальными электрическими и оптическими свойствами. некоторые из наиболее важных полупроводников
электрические свойства политипов 3c, 4h и 6h приведены в таблице 5.1. намного больше
подробные электрические свойства можно найти в ссылках 11-13 и ссылках на них. даже в пределах
данный политип, некоторые важные электрические свойства неизотропны, поскольку они являются сильными функциями
кристаллографического направления тока и приложенного электрического поля (например, подвижность электронов
для 6h-sic). примеси примеси в sic могут быть включены в энергетически неэквивалентные сайты. тогда как все
энергии ионизации легирующей примеси, связанные с различными участками включения легирующей примеси, обычно должны быть
рассмотренный для максимальной точности, в таблице 5.1 перечислены только самые мелкие энергии ионизации каждой
примеси.