ar покрытие mgf ₂ / ZnS

а.е.

всплывающий контакт

Au-Ge / Ni / Au

N ⁺ -gaas 0,3 мкм

┏

N ⁺ -алипп 0,03 мкм \u0026 lt; 2 \u0026 times; 10 ¹⁸ см ^-3 (Si)

окно

InGaP

N ⁺ -информация 0,05 мкм 2,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Si)

N

(Например, = 1.88ev)

п ⁺ -информация 0,55 мкм 1,5 × 10 ¹⁷ см ^-3 (Гп)

п

верхняя ячейка

п ⁺ -информация 0,03 мкм 2,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Гп)

п ⁺

┗

п ⁺ -алипин 0,03 мкм \u003c 5 × 10 ¹⁷ см ^-3 (Гп)

BSF, diff.barrier

тоннель

п ⁺ -информация 0,015 мкм 8,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Гп)

т (р ⁺ )

соединение

N ⁺ -информация 0,015 мкм 1,0 × 10 ¹⁹ см ^-3 (Si)

т (п ⁺ )

┏

N ⁺ -алипел 0,05 мкм 1,0 × 10 ¹⁹ см ^-3 (Si)

окно, diff.barrier

gaas (например, = 1,43 эв)

N ⁺ -gaas 0,1 мкм 2,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Si)

N

p -gaas 3.0μm 1.0 × 10 ¹⁷ см ^-3 (Гп)

п

┗

п ⁺ -информация 0,1 мкм 2,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Гп)

BSF

п ⁺ -gaas 0,3 мкм 7,0 × 10 ¹⁸ см ^-3 (Гп)

п ⁺ субстрат \u003c 1,0 × 10 ¹⁹ см ^-3 (Гп)

подложка

а.е.

обратный контакт