Представлен двухпозиционный высокочастотный микроэлектромеханический (мем.) переключатель с высокой изоляцией и низковольтным управлением для высокочастотных и микроволновых приложений. рабочее напряжение предлагаемой двойной управляющей вертикальной структуры переключателей rf-мембран было уменьшено без уменьшения срабатывания разрыв , теоретически рабочее напряжение предлагаемой структуры примерно на 29% ниже, чем у одноступенчатого вертикального высокочастотного переключателя с таким же способом изготовления, площадью электрода и равным контактным зазором.

предлагаемый радиочастотный переключатель был изготовлен методом поверхностного микрообработки с семью фотомасками на кварцевой пластине. для достижения планаризации и лестничной структуры слой с полиимидным расцепителем был покрыт спиртом, отвержден и протравлен в два этапа и сформирован с помощью этапа сухого травления, который определяет механизм двойного срабатывания. измеренные результаты изготовленного переключателя радиочастотных мембран демонстрируют, что вносимые потери были ниже 0,11 дБ для состояния 20 В, изоляция была выше, чем 39,1 дБ для выключенного состояния, а обратные потери были лучше, чем 32,1 дБ для 20 В от состояния от постоянного тока до 6 ГГц. минимальное напряжение втяжки изготовленного переключателя rf-мембран составляло 10 v.

Источник: iopscience

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш сайт:www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com