Целью данной статьи является представление расчетов выравнивания зон богатых индием (> 53%) сильно напряженных квантовых ям Ga1-xInxNyAs1-y на подложках InP , которые допускают длину волны излучения порядка 2,3 мкм. Мы сосредоточимся на выравнивании полос Ga0,22In0,78N0,01As0,99 решеток ям, согласованных с барьерами In0,52Al0,48As. Наши расчеты показывают, что введение азота в Ga1-xInxAs значительно улучшает выравнивание зон, позволяя квантовым ямам Ga0,22In0,78N0,01As0,99/In0,52Al0,48As на подложках InP конкурировать с уникальным выравниванием зон квантовых зон GaInNAs/GaAs. лунки на подложках GaAs .
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
