Основные моменты

• модель ловушек с контролируемым барьером была разработана вокруг расширенных дефектов.

• подвижность электронов и распределение электронного поля были искажены областью обеднения космического заряда.

• расширенные дефекты действуют как активированная рекомбинацией область.

• установлены связи между расширенными дефектами и характеристиками детектора.

методы переходного тока с использованием источника альфа-частиц были использованы для изучения влияния расширенных дефектов на время дрейфа электронов и характеристик детектора кристаллов cdznte. в отличие от случая ловушки через изолированный точечный дефект, для объяснения механизма захвата носителей при расширенных дефектах использовалась модель ловушки с контролируемым барьером. влияние расширенных дефектов на фотопроводимость изучалось при измерении импульсного тока (lbic), индуцированного лазерным лучом. результаты показывают, что область пространственного заряда обедненного типа шоттки индуцируется в окрестности расширенных дефектов, что дополнительно искажает внутреннее распределение электрического поля и влияет на траекторию носителей в кристаллах cdznte. установлена ​​связь между временем дрейфа электронов и эффективностью детекторов.

ключевые слова

ii-vi полупроводниковые приборы; CdZnTe; барьерное улавливание; расширенные дефекты

Источник: ScienceDirect

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт : www.powerwaywafer.com ,

отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,