был оценен слой улавливания графита для защиты поверхности узорчатых и выборочно имплантированных 4h-sic эпитаксиальных вафель во время послеимплантационного отжига. Фоторезист az-5214e формовали и выпекали в вакууме при температурах от 750 до 850 ° c, чтобы образовать непрерывное покрытие как на плоских, так и на мезотравных поверхностях с характеристиками до 2 мкм в высоту. полная конверсия гидр...
pam-xiamen выращивает высокомолекулярные слитки монокристалла галлий-антимонида (gasb). мы также круглые, видели разрезанные, накладочные и полирующие вафли и можем обеспечить эпи-готовое качество поверхности. газовый кристалл представляет собой соединение, образованное 6n чистым ga и sb элементом и выращивается жидким инкапсулированным czochralski (lec) методом с epd \u0026 lt; 1000 см -3. газовы...
мы исследовали уровни энергии перехода дефектов вакансий в нитриде галлия с помощью подхода теории функционала гибридной плотности (dft). мы показываем, что, в отличие от прогнозов недавнего исследования уровня чисто локальной dft, включение экранированного обмена стабилизирует трехполюсное зарядовое состояние вакансии азота для энергий ферми, близких к валентной зоне. с другой стороны, уровни деф...
прямые диодные лазеры обладают одними из наиболее привлекательных особенностей любых лазер. они очень эффективны, компактны, универсальны по длине волны, недорогие и высоконадежные. однако полное использование прямых диодных лазеров еще предстоит реализовать. низкое качество диодный лазер сам луч непосредственно влияет на диапазоны его применения, чтобы лучше использовать стек диодный лазер, необх...
последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...
по-прежнему большой проблемой для полупроводниковых устройств является получение эффекта большого магнитосопротивления (mr) при малом магнитном поле при комнатной температуре. в настоящей работе фотоиндуцированные mr-эффекты при различных интенсивностях освещения при комнатной температуре исследуются в полуизолирующий арсенид галлия ( си-GaAs ) на основе ag / si-gaas / ag. устройство подвергается ...
процесс уменьшения плотности дислокаций в 3-дюймовом fe-легированном inp вафли описывается. процесс роста кристаллов представляет собой обычный жидкий инкапсулированный czochralsky (lec), но добавлены тепловые экраны для уменьшения теплового градиента в растущем кристалле. форма этих экранов была оптимизирована с помощью численного моделирования теплообмена и термомеханических напряжений. этот про...
интенсивность и интенсивность света рассеяния кислорода в cz-кремний кристаллы измеряются с помощью светорассеивающей томографии. численные данные, проясненные посредством измерений, обсуждаются в отношении количества осажденного кислорода. полученные здесь результаты хорошо согласуются с теоретическим анализом того, что осадки кислорода вызывают рассеяние света. информация, полученная с помощью с...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
