Изучены монокристаллы GaSb с легированием Te путем измерения эффектов Холла, инфракрасной (ИК) и фотолюминесценции (PL). Обнаружено, что GaSb n-типа с ИК-пропусканием может быть получена до 60% за счет критического контроля концентрации Те-легирования и электрической компенсации. Концентрация нативных акцепторных дефектов, по-видимому, невелика в Te-легированном GaSb по сравнению с нелегированными и сильно легированными GaSb. Механизм высокого ИК-пропускания анализируется с учетом процесса оптического поглощения, связанного с дефектом.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации о наших продуктах, таких как кристаллическая структура нитрида кремния, плавающие зоны , карбид кремния посетите наш веб-сайт:www.semiconductorwafers.net ,
Отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
