в этой статье мы рассмотрели разработки по изготовлению неполярных (т-плоскости и а-плоскости) и полуполярных (т. е. (20,1)) пластин методом аммонотермических измерений. описаны способ роста и результаты полировки. нам удалось изготовить неочищенные и полуполярные пластины 26 мм × 26 мм. эти пластины обладают выдающимися структурными и оптическими свойствами с плотностью дислокаций с резьбой поряд...
на всей поверхности (10 мм × 10 мм) нижнего электрода srruo3 на монокристаллической подложке srtio3 с использованием лазерной интерференционной литографии были изготовлены массивы на пластинчатых шкалах хорошо упорядоченных наноразмерных наночастиц pb (zr0,2ti0,8) o3 и наночастиц (lil) в сочетании с импульсным лазерным осаждением. форма и размер наноструктур контролировались количеством pzt, осажд...
мы сообщаем об увеличении экситаксической химии белой бесклеточной нанопроволоки на основе цинк-обманки. выращенный InSb сегменты представляют собой верхние участки гетероструктур inas / insb на подложках inas (111) b. мы показываем, посредством анализа hrtem, что инкрустацию цинковой обманкой можно выращивать без каких-либо дефектов кристалла, таких как дефекты упаковки или плоскости двойниковани...
высоконапряженные субмонослойные наноструктуры Ge на GaSb были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы методом сверхвысокочастотной сканирующей туннельной микроскопии. достигнуты и исследованы четыре различные скорости покрытия наноструктур Ge на газовой балке. обнаружено, что рост ge на газовом топливе следует за 2-м режимом роста. кристаллическая решетка субмонослоя GE нанос...
Для однородных материалов метод ультразвукового погружения, связанный с процессом численной оптимизации, в основном на основе алгоритма Ньютона, позволяет определять упругие постоянные для различных синтетических и природных композиционных материалов. Тем не менее, основное ограничение существующей процедуры оптимизации возникает, когда рассматриваемый материал находится на границе однородной гипо...
Был разработан вертикальный эпи-реактор с горячей стенкой, который позволяет одновременно достигать высокой скорости роста и однородности большой площади. Максимальная скорость роста 250 мкм / ч достигается при зеркальной морфологии при 1650 ° C. Под измененным эпи-реактор При этом достигается равномерность толщины 1,1% и однородность легирования 6,7% для области с радиусом 65 мм при сохранении вы...