был оценен слой улавливания графита для защиты поверхности узорчатых и выборочно имплантированных 4h-sic эпитаксиальных вафель во время послеимплантационного отжига. Фоторезист az-5214e формовали и выпекали в вакууме при температурах от 750 до 850 ° c, чтобы образовать непрерывное покрытие как на плоских, так и на мезотравных поверхностях с характеристиками до 2 мкм в высоту. полная конверсия гидр...
в этой статье мы рассмотрели разработки по изготовлению неполярных (т-плоскости и а-плоскости) и полуполярных (т. е. (20,1)) пластин методом аммонотермических измерений. описаны способ роста и результаты полировки. нам удалось изготовить неочищенные и полуполярные пластины 26 мм × 26 мм. эти пластины обладают выдающимися структурными и оптическими свойствами с плотностью дислокаций с резьбой поряд...
на всей поверхности (10 мм × 10 мм) нижнего электрода srruo3 на монокристаллической подложке srtio3 с использованием лазерной интерференционной литографии были изготовлены массивы на пластинчатых шкалах хорошо упорядоченных наноразмерных наночастиц pb (zr0,2ti0,8) o3 и наночастиц (lil) в сочетании с импульсным лазерным осаждением. форма и размер наноструктур контролировались количеством pzt, осажд...
мы сообщаем об увеличении экситаксической химии белой бесклеточной нанопроволоки на основе цинк-обманки. выращенный InSb сегменты представляют собой верхние участки гетероструктур inas / insb на подложках inas (111) b. мы показываем, посредством анализа hrtem, что инкрустацию цинковой обманкой можно выращивать без каких-либо дефектов кристалла, таких как дефекты упаковки или плоскости двойниковани...
последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...
высоконапряженные субмонослойные наноструктуры Ge на GaSb были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы методом сверхвысокочастотной сканирующей туннельной микроскопии. достигнуты и исследованы четыре различные скорости покрытия наноструктур Ge на газовой балке. обнаружено, что рост ge на газовом топливе следует за 2-м режимом роста. кристаллическая решетка субмонослоя GE нанос...
Для реализации высокопроизводительного карбида кремния ( SiC ), должны быть разработаны низкоомные омические контакты с p-образным SiC. Для уменьшения омического контактного сопротивления требуется снижение высоты барьера на границах металл / SiC или увеличение концентрации легирования на подложках SiC. Поскольку уменьшение высоты барьера чрезвычайно затруднено, увеличение концентрации легирования...
развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
