в последнее десятилетие соединения iii-n вызвали большой интерес из-за их применения в синей, фиолетовой и ультрафиолетовой оптоэлектронике. большинство устройств и исследований используют сапфир в качестве субстрата для эпитаксии нитридов. однако эти эпиструктуры содержат очень высокую плотность дислокаций, вызванную несоответствием решетки 16% между ган и сапфир. в нашей лаборатории мы выращивае...
в этой статье мы рассмотрели разработки по изготовлению неполярных (т-плоскости и а-плоскости) и полуполярных (т. е. (20,1)) пластин методом аммонотермических измерений. описаны способ роста и результаты полировки. нам удалось изготовить неочищенные и полуполярные пластины 26 мм × 26 мм. эти пластины обладают выдающимися структурными и оптическими свойствами с плотностью дислокаций с резьбой поряд...
мы исследовали уровни энергии перехода дефектов вакансий в нитриде галлия с помощью подхода теории функционала гибридной плотности (dft). мы показываем, что, в отличие от прогнозов недавнего исследования уровня чисто локальной dft, включение экранированного обмена стабилизирует трехполюсное зарядовое состояние вакансии азота для энергий ферми, близких к валентной зоне. с другой стороны, уровни деф...
микромашина algan / gan с высокоэлектронной подвижностью ( НЕМТ ) на подложке si с алмазоподобными углерод-титановыми (dlc / ti) слоями тепловыделения. превосходная теплопроводность и коэффициент теплового расширения, аналогичный ган чтобы dlc / ti эффективно рассеивал теплоты мощности gan через подложку si через отверстия. этот гемт с дизайном dlc также поддерживал стабильную плотность тока при у...
прямые диодные лазеры обладают одними из наиболее привлекательных особенностей любых лазер. они очень эффективны, компактны, универсальны по длине волны, недорогие и высоконадежные. однако полное использование прямых диодных лазеров еще предстоит реализовать. низкое качество диодный лазер сам луч непосредственно влияет на диапазоны его применения, чтобы лучше использовать стек диодный лазер, необх...
условие роста тонкоизмельченных доз мг ган и его влияние на формирование омического контакта p-типа gan. подтверждается, что чрезмерное допирование мг может эффективно усилить контакт ni / au с p- ган после отжига при 550 ° С. когда отношение скорости потока между источниками газа мг и газа составляет 6,4%, а ширина слоя составляет 25 нм, укупоривающий слой, выращенный при 850 ° С, обладает лучшим...
развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
