pam-xiamen выращивает высокомолекулярные слитки монокристалла галлий-антимонида (gasb).

мы также круглые, видели разрезанные, накладочные и полирующие вафли и можем обеспечить эпи-готовое качество поверхности.

газовый кристалл представляет собой соединение, образованное 6n чистым ga и sb элементом и выращивается жидким инкапсулированным czochralski (lec) методом с epd \u0026 lt; 1000 см -3. газовый кристалл имеет высокую однородность электрических параметров и низкую плотность дефектов, подходящую для эпитаксиального роста mbe или mocvd.

у нас есть «эпи-готовые» газовые продукты с широким выбором в точном или выключенном состоянии, с низкой или высокой допированной концентрацией и хорошей обработкой поверхности. свяжитесь с нами для получения дополнительной информации о продукте.

1) 2 \", 3\" газовая пластина

Ориентация: (100) ± 0,5 °

Толщина (мкм): 500 ± 25; 600 ± 25

Тип / легирующей примеси: р / нелегированный; р / Si; р / гп

пс (см-3) :( 1 ~ 2) е17

подвижность (см2 / в · с): 600 ~ 700

метод роста: cz

польский: подвид

2) 2 \"газовая пластина

Ориентация: (100) ± 0,5 °

Толщина (мкм): 500 ± 25; 600 ± 25

Тип / присадку: н / нелегированный; р / те

пс (см-3) :( 1 ~ 5) е17

подвижность (см2 / в · с): 2500 ~ 3500

метод роста: lec

польский: подвид

3) 2 \"газовая пластина

Ориентация: (111) а ± 0,5 °

Толщина (мкм): 500 ± 25

Тип / легирующей примеси: н / те, р / гп

пс (см-3) :( 1 ~ 5) е17

подвижность (см2 / в · с): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

метод роста: lec

польский: подвид

4) 2-дюймовая пластина

Ориентация: (111) б ± 0,5 °

Толщина (мкм): 500 ± 25; 450 ± 25

Тип / легирующей примеси: н / те, р / гп

пс (см-3) :( 1 ~ 5) е17

подвижность (см2 / в · с): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

метод роста: lec

польский: подвид

5) 2 \"газовая пластина

ориентация: (111) b 2deg.off

Толщина (мкм): 500 ± 25

Тип / легирующей примеси: н / те, р / гп

пс (см-3) :( 1 ~ 5) е17

подвижность (см2 / в · с): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

метод роста: lec

польский: подвид

относительные продукты:

inas wafer

встроенная пластина

inp wafer

gaas wafer

газовая плита

зазоре

материал gasb представляет интересные свойства для однокомпонентных термофотовольтаических (tpv) устройств. монокристалл монокристалла, выращенного с помощью czochralski (cz) или модифицированных czo- chralski (mo-cz) методов, и обсуждалась проблема гомогенности. поскольку подвижность носителей является одной из ключевых точек для объемного кристалла, проводятся измерения зала. мы представляем здесь некоторые дополнительные разработки, основанные на точки зрения обработки материалов: рост объемного кристалла, подготовка пластины и травление вафель. последующие шаги после них связаны с разработкой p / no r n / p. приведены некоторые результаты, полученные для разных тонкостных подходов к разработке. поэтому из простого процесса диффузии в паровой фазе или процесса жидкофазной эпитаксии вплоть до процесса органического химического осаждения из паровой фазы мы сообщаем о некоторой материальной специфичности. doi: 10.1115 / 1.2734570

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,