что ты ищешь?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

Главная /

поиск

поиск

Список блога

Недавние Посты

теги

InGaN sic wafer 4h-sic эпитаксиальная пластина gan эпитаксия газовый субстрат эпитаксиальные пластины газовый субстрат Эпитаксиальная структура лазерного диода германиевая пластина нитрид галлия

  • микроструктура ядерных квантовых ям, выращенных на монокристаллах гана и сапфире

    2018-Jan-19

    в последнее десятилетие соединения iii-n вызвали большой интерес из-за их применения в синей, фиолетовой и ультрафиолетовой оптоэлектронике. большинство устройств и исследований используют сапфир в качестве субстрата для эпитаксии нитридов. однако эти эпиструктуры содержат очень высокую плотность дислокаций, вызванную несоответствием решетки 16% между ган и сапфир. в нашей лаборатории мы выращивае...

    InGaN ган AlGaN
первый последний
[  Всего  1  страницы]

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.