в последнее десятилетие соединения iii-n вызвали большой интерес из-за их применения в синей, фиолетовой и ультрафиолетовой оптоэлектронике. большинство устройств и исследований используют сапфир в качестве субстрата для эпитаксии нитридов. однако эти эпиструктуры содержат очень высокую плотность дислокаций, вызванную несоответствием решетки 16% между ган и сапфир. в нашей лаборатории мы выращиваем монокристаллы гана при высоком гидростатическом давлении 10 кбар азота. эти кристаллы имеют сверхнизкую плотность дислокаций и успешно используются для построения фиолетовых лазерных диодов. в этой работе представлены экспериментальные данные рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и фотолюминесценции. эта работа состоит из трех частей: (i) сравнение между субстратами gan и шаблонами gan / sapphire; (ii) влияние AlGaN слои на поклоне образцов; (iii) микроструктура многоядерных квантовых ям ingan / gan ,

soource: iopscience

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт : http://www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com