Главная / блог /

Оптимальное определение упругих постоянных тканых 2D SiC / SiC композиционных материалов

блог

Оптимальное определение упругих постоянных тканых 2D SiC / SiC композиционных материалов

2019-01-21

Для однородных материалов метод ультразвукового погружения, связанный с процессом численной оптимизации, в основном на основе алгоритма Ньютона, позволяет определять упругие постоянные для различных синтетических и природных композиционных материалов. Тем не менее, основное ограничение существующей процедуры оптимизации возникает, когда рассматриваемый материал находится на границе однородной гипотезы. Так обстоит дело с тканой двунаправленной SiC-матрицей и SiC волокно композитный материал.


В этом исследовании мы разработали два численных метода для определения упругих постоянных 2D SiC или SiC композитный материал (2D SiC / SiC). Первый основан на алгоритме Ньютона: упругие постоянные получаются путем минимизации квадратного отклонения между экспериментальной и расчетной скоростями. Второй метод основан на алгоритме Левенберга – Марквардта. Показано, что эти алгоритмы дают одинаковые результаты в случае однородных анизотропных композиционных материалов. Для двумерного композиционного материала SiC / SiC оба метода, использующие одинаковые измеренные скорости, дают разные наборы упругих постоянных. Затем отметим, что алгоритм Левенберга – Марквардта обеспечивает лучшую сходимость к глобальному набору упругих постоянных в хорошем согласии с упругими свойствами, что можно измерить с помощью классических квазистатических методов.


Источник: iopscience

Больше других подобных продуктов Sic, таких как SiC Epitaxy , SiC Wafer , SiC подложка и т.д. здесь! Добро пожаловать на наш сайт: www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам письмо наangel.ye@powerwaywafer.com или жеpowerwaymaterial@gmail.com ,


свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.