последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...
по-прежнему большой проблемой для полупроводниковых устройств является получение эффекта большого магнитосопротивления (mr) при малом магнитном поле при комнатной температуре. в настоящей работе фотоиндуцированные mr-эффекты при различных интенсивностях освещения при комнатной температуре исследуются в полуизолирующий арсенид галлия ( си-GaAs ) на основе ag / si-gaas / ag. устройство подвергается ...
процесс уменьшения плотности дислокаций в 3-дюймовом fe-легированном inp вафли описывается. процесс роста кристаллов представляет собой обычный жидкий инкапсулированный czochralsky (lec), но добавлены тепловые экраны для уменьшения теплового градиента в растущем кристалле. форма этих экранов была оптимизирована с помощью численного моделирования теплообмена и термомеханических напряжений. этот про...
высоконапряженные субмонослойные наноструктуры Ge на GaSb были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы методом сверхвысокочастотной сканирующей туннельной микроскопии. достигнуты и исследованы четыре различные скорости покрытия наноструктур Ge на газовой балке. обнаружено, что рост ge на газовом топливе следует за 2-м режимом роста. кристаллическая решетка субмонослоя GE нанос...
в этой статье предлагается новый трехмерный (3d) фотолитография технологии для микропроцессорного процесса с высоким разрешением на волокнистой подложке. также представлен краткий обзор технологии литографии неплоской поверхности. предлагаемая технология в основном включает в себя микрообработку трехмерного модуля экспозиции и напыление тонких пленок сопротивления на волокно. 3D-модуль экспозиции ...
Изучены монокристаллы GaSb с легированием Te путем измерения эффектов Холла, инфракрасной (ИК) и фотолюминесценции (PL). Обнаружено, что GaSb n-типа с ИК-пропусканием может быть получена до 60% за счет критического контроля концентрации Те-легирования и электрической компенсации. Концентрация нативных акцепторных дефектов, по-видимому, невелика в Te-легированном GaSb по сравнению с нелегированными...
Облучение ионного пучка было рассмотрено как способ создания наноразмерных полупроводниковых столбчатых и конусообразных структур, но имеет недостаток в неточном размещении наноструктур. Мы сообщаем о методе создания и шаблонирования наноразмерных InAs спайки путем фокусированного ионного пучка (FIB) облучения как гомоэпитаксиальных пленок InAs, так и гетероэпитаксиальных InAs на подложках InP. Эт...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
