xiamen powerway advanced material co., ltd., ведущий поставщик услуг epi для роста лазерных лазеров на основе gaas и других сопутствующих продуктов и услуг, объявила, что новая доступность размера 3 «находится на массовом производстве в 2017 году. Этот новый продукт представляет собой природный дополнение к Пэм-Сямынь . др. shaka, сказал: «Мы рады предложить нашим клиентам качественную лазерную структуру с квантовым ядром, в том числе многие, которые развиваются лучше и надежнее для основного активного элемента (источника лазерного излучения) оптоволоконной связи в Интернете. Наша эпитаксиальная структура с лазерным диодом имеет превосходные свойства, основы квантовых ям лазеров на арсениде галлия и фосфидных пластинах индия, лазеры, использующие квантовые ямы и дискретные электронные моды, изготовлены как с помощью технологии movpe, так и с mbe, создаются на разных длинах волн от ультрафиолетового до режима thz. кратчайшая длина волны лазеры основаны на материалах на основе нитрида галлия. Лазеры с длинной длиной волны полагаются на квантово-каскадный лазерный дизайн. Лазеры с квантовыми лучами привлекают большое внимание их многочисленными преимуществами, такими как низкая пороговая плотность тока, отличная температурная характеристика, высокая скорость модуляции и регулируемость по длине волны и т. д., доступность улучшает процессы роста и обработки пузырей ». и «наши клиенты теперь могут извлечь выгоду из увеличения производительности устройства, ожидаемого при разработке продвинутых транзисторов на квадратной подложке. Наша служба epi для роста лазерных валов на основе gaas является естественной благодаря продуктам наших постоянных усилий, в настоящее время мы стремимся постоянно развивать более надежные продукты.\"
Пэм-Сямынь усовершенствованная линейка лазерных лазеров, основанная на газах, выиграла от сильных технологий, поддержки со стороны родного университета и лабораторного центра.
теперь он показывает пример следующим образом:
808nm ingaasp / inp mqw лазерная структура
|
слой |
материал |
Икс |
утомлять толерантность |
пл |
толщина |
тип |
уровень |
|
|
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
(М.д.) |
(Нм) |
(Мкм) |
\u0026 ЕПРС; |
(См-3) |
|
8 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,1 |
п |
\u0026 GT; 2.00e19 |
|
7 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,05 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
6 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500р |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
5 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
4 |
GaAs (х) р |
0,86 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
+798 |
0,013 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
3 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
2 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
1 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
|
гааз-субстрат |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
N |
\u0026 ЕПРС; |
о xiamen powerway advanced material co., ltd
найденный в 1990 году, xiamen powerway advanced material co., ltd ( Пэм-Сямынь ) является ведущим производителем составного полупроводникового материала в Китае. pam-xiamen развивает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные субстраты и полупроводниковые приборы. Технологии pam-xiamen позволяют повысить производительность и снизить затраты на изготовление полупроводниковой пластины.
о лазерной структуре квантовой ямы
лазером квантовой ямы является лазерный диод, в котором активная область устройства настолько узка, что происходит квантовое удержание. лазерные диоды формируются в составных полупроводниковых материалах, которые (в отличие от кремния) способны эффективно излучать свет. длина волны света, излучаемого лазером квантовой ямы, определяется шириной активной области, а не только шириной запрещенной зоны материала, из которого она построена. [1] это означает, что из квантов квантовой ямы можно получить гораздо более длинные волны, чем от обычных лазерных диодов с использованием конкретного полупроводникового материала. эффективность кванта квантовой ямы также больше, чем обычный лазерный диод из-за поэтапной формы его плотности функций состояний.
д \u0026 амп;
c: мы ищем поставщика эпитаксиальных лазерных пластин на основе гааза для следующих диапазонов длин волн: 780 нм и 808 нм. подходящие размеры подложки составляют 2 \"или 3\" (предпочтительно). сообщите мне, если ваша компания имеет опыт в изготовлении таких лазерных вафель. если да, сообщите мне, если вы можете предоставить общие образцы для нашего рассмотрения.
p: спасибо за ваш запрос, да, мы можем предложить, можете ли вы предложить структуру?
c: Благодарим вас за отзыв. пожалуйста, приложите 780нм и 808нм. пожалуйста, дайте мне знать, если проекты в порядке, и позвольте мне также знать, какие испытания будут проводиться с вашей стороны, чтобы убедиться, что качество материала соответствует классу лазера?
780 нм лазерная структура
|
слой |
материал |
Икс |
утомлять толерантность |
пл |
толщина |
тип |
уровень |
|
|
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
(М.д.) |
(Нм) |
(Мкм) |
\u0026 ЕПРС; |
(См-3) |
|
8 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,1 |
п |
\u0026 GT; 2.00e19 |
|
7 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,05 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
6 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
5 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
4 |
GaAs (х) р |
0,77 |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
770 |
\u0026 ЕПРС; |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
3 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
2 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
1 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
|
гааз-субстрат |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
N |
\u0026 ЕПРС; |
808 нм лазерная структура
|
слой |
материал |
Икс |
утомлять толерантность |
пл |
толщина |
тип |
уровень |
|
|
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
(М.д.) |
(Нм) |
(Мкм) |
\u0026 ЕПРС; |
(См-3) |
|
8 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,1 |
п |
\u0026 GT; 2.00e19 |
|
7 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,05 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
6 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500р |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
п |
\u0026 ЕПРС; |
|
5 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
4 |
GaAs (х) р |
0,86 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
+798 |
0,013 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
3 |
усиления (х) р |
0,49 |
\u0026 ЕПРС; |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
U / D |
\u0026 ЕПРС; |
|
2 |
[Ал (х) га] в (у) р |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 ЕПРС; |
1 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
1 |
СаАз |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
0,5 |
N |
\u0026 ЕПРС; |
|
|
гааз-субстрат |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
\u0026 ЕПРС; |
N |
\u0026 ЕПРС; |
c: мы можем предложить тестовый отчет pl mqw и xrd algainp.
Ключевые слова: лазер квантовой ямы, al free, лазерная структура, mqw-лазер,
лазерных приложений с квантовыми ямами, работы лазера квантовой ямы,
лазер с одиночной квантовой ямой, лазер с квантовой ямой
для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: http: // www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
