pam-xiamen выращивает высокомолекулярные слитки монокристалла галлий-антимонида (gasb). мы также круглые, видели разрезанные, накладочные и полирующие вафли и можем обеспечить эпи-готовое качество поверхности. газовый кристалл представляет собой соединение, образованное 6n чистым ga и sb элементом и выращивается жидким инкапсулированным czochralski (lec) методом с epd \u0026 lt; 1000 см -3. газовы...
на всей поверхности (10 мм × 10 мм) нижнего электрода srruo3 на монокристаллической подложке srtio3 с использованием лазерной интерференционной литографии были изготовлены массивы на пластинчатых шкалах хорошо упорядоченных наноразмерных наночастиц pb (zr0,2ti0,8) o3 и наночастиц (lil) в сочетании с импульсным лазерным осаждением. форма и размер наноструктур контролировались количеством pzt, осажд...
мы представляем новый процесс интеграции германий с кремний-на-изоляторе (soi). германий имплантируется в soi, который затем окисляется, захватывая германий между двумя оксидными слоями (выращенный оксид и захороненный оксид). при тщательном контроле условий имплантации и окисления этот процесс создает тонкий слой (текущие эксперименты показывают до 20-30 нм) почти чистого германия. слой может быт...
www.semiconductorwafers.net прямая технология склеивания пластин способна интегрировать две гладкие пластины и, таким образом, может быть использована при изготовлении солнечных элементов iii-v multijunction с рассогласованием решетки. для монолитного взаимосвязи между подэлементами gainp / gaas и ingaasp / ingaas, связанный гааз / inp гетеропереход должен быть высокопроводящим омическим соединени...
микромашина algan / gan с высокоэлектронной подвижностью ( НЕМТ ) на подложке si с алмазоподобными углерод-титановыми (dlc / ti) слоями тепловыделения. превосходная теплопроводность и коэффициент теплового расширения, аналогичный ган чтобы dlc / ti эффективно рассеивал теплоты мощности gan через подложку si через отверстия. этот гемт с дизайном dlc также поддерживал стабильную плотность тока при у...
мы сообщаем о генерации микроразрядов в устройствах, состоящих из микрокристаллическихбриллиант, разряды генерировались в структурах устройств с геометриями микрохолодного катодного разряда. одна структура состояла из изолирующей алмазной пластины, покрытой слоями алмаза с бором с обеих сторон. вторая структура состояла из изолирующей алмазной пластины, покрытой металлическими слоями с обеих сторо...
гетеропереход inas / si, образованный методом мокрой пластины, с температурой отжига 350 ° C, был исследован методом просвечивающей электронной микроскопии (темп). inas и si наблюдались равномерно скрепленными без каких-либо пустот в поле зрения длиной 2 мкм в ярком полевом изображении. изображение с высоким разрешением показало, что междуInAsи si решетчатых изображений существовал переходный слой...
последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...