xiamen powerway advanced material co., ltd., ведущий поставщик услуг epi для роста лазерных лазеров на основе gaas и других сопутствующих продуктов и услуг, объявила, что новая доступность размера 3 «находится на массовом производстве в 2017 году. Этот новый продукт представляет собой природный дополнение к Пэм-Сямынь . др. shaka, сказал: «Мы рады предложить нашим клиентам качественную лазерную ст...
прямые диодные лазеры обладают одними из наиболее привлекательных особенностей любых лазер. они очень эффективны, компактны, универсальны по длине волны, недорогие и высоконадежные. однако полное использование прямых диодных лазеров еще предстоит реализовать. низкое качество диодный лазер сам луч непосредственно влияет на диапазоны его применения, чтобы лучше использовать стек диодный лазер, необх...
мы сообщаем о генерации микроразрядов в устройствах, состоящих из микрокристаллическихбриллиант, разряды генерировались в структурах устройств с геометриями микрохолодного катодного разряда. одна структура состояла из изолирующей алмазной пластины, покрытой слоями алмаза с бором с обеих сторон. вторая структура состояла из изолирующей алмазной пластины, покрытой металлическими слоями с обеих сторо...
интенсивность и интенсивность света рассеяния кислорода в cz-кремний кристаллы измеряются с помощью светорассеивающей томографии. численные данные, проясненные посредством измерений, обсуждаются в отношении количества осажденного кислорода. полученные здесь результаты хорошо согласуются с теоретическим анализом того, что осадки кислорода вызывают рассеяние света. информация, полученная с помощью с...
Характеристики генерации в зависимости от температуры склеивания лазерного диода (LD) GaInAsP 1,5 мкм, выращенного на непосредственно связанной Подложка InP или же Si подложка были успешно получены. Мы изготовили InP подложка или Si-подложка с использованием метода прямого гидрофильного связывания при температурах 350, 400 и 450 ° C и нанесенного GaInAsP или InP двойные гетероструктурные слои на э...