микромашина algan / gan с высокоэлектронной подвижностью ( НЕМТ ) на подложке si с алмазоподобными углерод-титановыми (dlc / ti) слоями тепловыделения. превосходная теплопроводность и коэффициент теплового расширения, аналогичный ган чтобы dlc / ti эффективно рассеивал теплоты мощности gan через подложку si через отверстия.

этот гемт с дизайном dlc также поддерживал стабильную плотность тока при условиях изгиба (деформация: 0,01%). инфракрасная термографическая картинка показала, что тепловое сопротивление стандартного многоштырькового слоя мощности составляет 13,6 к / сут, и оно улучшилось до 5,3 к / ч из-за процесса микрообработки с композитным слоем dlc / ti на задней стороне. таким образом, предлагаемый слой тепловыделения dlc / ti реализовал эффективное тепловое управление в генах мощности гана.

( Источник: iopscience )

для получения дополнительной информации, вы можете посетить наши связанные продукты, такие как gan hemt эпитаксиальная пластина ! или посетите наш веб-сайт www.semiconductorwafers.net ,