Основные моменты

• толщина графена, выращенного на sic, определялась профилированием глубины аэ.

• профилирование глубины aes проверяет наличие буферного слоя на sic.

• показано наличие ненасыщенных si-связей в буферном слое.

• с использованием многоточечного анализа было определено распределение толщины графена на пластине.

для определения толщины макроскопического размера графенового листа, выращенного на 2 дюймах 6h-sic (0 0 0 1), методом сублимационной эпитаксии применяли глубинное профилирование шнековой электронной спектроскопии (aes). измеренный профиль глубины отклоняется от ожидаемой экспоненциальной формы, показывающей наличие дополнительного буферного слоя. измеренный профиль глубины сравнивался с имитированным, что позволило получить толщину графенового и буферного слоев и концентрацию буферного слоя si. было показано, что графеноподобный буферный слой содержит около 30% ненасыщенных si. профилирование глубины проводилось в нескольких точках (диаметр 50 мкм), что позволило построить распределение толщины, характеризующее однородность графенового листа.

ключевые слова

графен на сик; состав буферного слоя; профилирование глубины; толщина графена; сублимационная эпитаксия

Источник: ScienceDirect

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: www.powerwaywafer.com , пришлите нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,