влияние отжига на остаточное напряжение и распределение деформаций в пластинах cdznte изучалось на основе метода рентгеновской дифракции (xrd). результаты показали эффективность отжига при уменьшении остаточного напряжения и деформации. с помощью методов трансмиссионной электронной микроскопии (tem) и инфракрасного (ir) трансмиссии было обнаружено, что скользящее смещение дислокаций, уменьшение размера осадка te, диспергирование осадка te, гомогенизация композиции и рекомбинация точечных дефектов способствовали уменьшению остаточного напряжения и деформации при отжиге пластины. Кроме того, большее остаточное напряжение в пластинах cdznte приводило к большим несоответствиям решетки. таким образом, для большего остаточного напряжения и деформации в пластине cdznte передача передачи будет снижена.

ключевые слова

a1. отжигают; a1. решетчатое несоответствие; a1. осадок; a1. остаточный стресс и деформация; a1. Дифракция рентгеновского излучения; Би 2. CdZnTe; Би 2. полупроводниковые материалы ii-vi

Источник: ScienceDirect

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: www.powerwaywafer.com , пришлите нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com ,