q: нам нужна подложка ingaasp / inp для создания лазерного диода для оптической связи с длиной волны 1,5 мкм, не могли бы вы поставить? a: да, мы могли бы вырастить его.
q: в настоящее время мы работаем над проектом, который нуждается в вазе с фазами gaas. идеальная структура была бы: (вверху) gaas_n_type / барьер / квантовая яма / барьер / gaas_p_type / набухающий слой / подложка gaas (внизу). нам нужно было бы перенести приведенную структуру на другой субстрат с помощью процесса отрыва, а вся структурированная структура (от n-типа до p-типа gaas) должна составлять около 500 нм. не могли бы вы сообщить, есть ли у вас что-то, что соответствует нашему требованию. a: мы благодарим вас за ваш запрос. некоторые из наших клиентов также покупают нашу структуру для процесса отрыва, см. ниже структуру gaas epi wafer для серии led / ir красный (620 +/- 5нм) 2 \"gaas led wafer р-разрыв п-AlGaInP MQW-AlGaInP н-AlGaInP dbr n-algaas / alas буфер гааз-субстрат
q: в отчете об испытаниях синих светодиодных вафель показаны vf и iv (mcd). как измеряется этот mcd без фактической обработки пластины в устройствах? a: мы используем пробочное оборудование и положим положительный и отрицательный полюс, подключаем ток, а затем получаем напряжение и iv.
q: проводили ли вы вафли, которые можно использовать для изготовления различных структур, ориентированных на исследования? если да, то ваша пластина не была бы изготовлена? a: да, мы можем предложить светодиодные вафли без использования контакта, однако мы также можем предложить корову (чип на пластине).
q: для gan на сапфире, пожалуйста, сообщите нам, какая сторона эпи-готова? a: ga-face, epi-ready и n лицо соединяется с сапфиром.
q: относительно ваших красных светодиодных эпиляров, как насчет верхнего слоя или слоя крышки на структуре epiwafer? a: как и раньше, мы имеем p + gaas (только несколько нанометров) в верхнем слое, однако эти два года, благодаря инновациям в технологиях, и все литейные машины удаляют этот слой и теперь зазор как верхний слой. но это точка не влияет на использование, на самом деле производительность лучше, чем раньше.
q: включает ли стоимость металлических контактов p и n? если нет, можете ли вы изготовить p и n контакты плюс sio2-пассивацию на основе моего дизайна? это может превратиться в более крупный проект. a: извините, мы не можем предложить изготовление p и n металлических контактов, также мы не можем изготовить p и n контактов плюс sio2-пассивацию.
q: какой размер пластины вы обеспечиваете плоским сапфировым субстратом? a: в настоящее время мы все еще можем предложить 2 \"пластины на плоском сапфировом субстрате.
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
