Возможность эффективной генерации разностного излучения в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия, выращенного на германиевый субстрат Считается. Показано, что лазер с волноводом шириной 100 мкм, излучающий 1 Вт в ближнем ИК-диапазоне, может генерировать ≈ 40 мкВт на разностной частоте в области 5–50 ТГц при комнатной температуре.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:www.semiconductorwafers.ne т,
отправьте нам письмо наangel.ye@powerwaywafer.com или жеpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
