Сообщается о мощных широкомасштабных квантовых ямах с квантовыми ямами (qw) на основе гана в диапазоне 1200 нм. эпитаксиальные слои лазерных пластин inganas / gaas qw выращивались на подложках n + -gaas с использованием металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (mocvd). толщина слоев inganas / gaas qw составляет 70 Å / 1200 Å. содержание индия (x) слоев inxga1-xnyas1-y qw оценивается в 0,35-0,36, а содержание азота (y) оценивается в 0,006-0,009. более содержание индия (in) и содержание азота (n) в слое inganas qw позволяет излучать лазер до 1300 нм. однако качество эпитаксиального слоя ограничено деформацией в слое. устройства были изготовлены с разной шириной гребня от 5 до 50 мкм. была получена очень низкая пороговая плотность тока (jth) 80 а / см2 для 50 мкм × 500 мкм ld. ряд эпина-пластин инаса / гааса были превращены в широкополосные lds. была измерена максимальная выходная мощность 95 мВт для широкополосных инанов / gaas qw lds. вариации выходной мощности широкополосных lds обусловлены главным образом деформационными дефектами слоев inganas qw.

Источник: ScienceDirect

для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш Веб-сайт : www.powerwaywafer.com , отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,