Мы изготовили волноводные фотодиоды с высокими однородными характеристиками на 2-дюймовая пластина InP представляя новый процесс. 2-дюймовая пластина Процедура изготовления была успешно выполнена с использованием осаждения SiNx на задней стороне пластины, чтобы компенсировать деформацию пластины. Почти все измеренные волноводные фотодиоды демонстрировали низкий темновой ток (в среднем 419 пА, σ = 49 пА при напряжении обратного смещения 10 В) по всей 2-дюймовой пластине, и была получена высокая чувствительность 0,987 A / W (σ = 0,011 A / W) в последовательном 60-канальном массиве на входной длине волны 1,3 мкм. Кроме того, была подтверждена однородность частотной характеристики.
Источник: iopscience
Для получения дополнительной информации о InP вафля , GaAs пластина , Нитрид галлия вафельный и т.д. вафельные изделия, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:semiconductorwafers.net
Отправьте нам письмо наangel.ye@powerwaywafer.com или жеpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
