Гладкие и полностью релаксированные слои германия с высоким содержанием бора были выращены непосредственно на подложках Si(001) с использованием углеродной эпитаксии.. Уровень легирования измерялся несколькими методами. Используя рентгеновскую дифракцию высокого разрешения, мы наблюдали различные параметры решетки для собственных образцов и образцов, сильно легированных бором. Параметр решетки a Ge:B = 5,653 Å был рассчитан с использованием результатов, полученных при отображении обратного пространства вокруг рефлекса (113) и модели тетрагонального искажения. Наблюдаемое сжатие решетки было адаптировано и приведено в соответствие с теоретической моделью, разработанной для сверхвысоко легированного бором кремния. Спектроскопию комбинационного рассеяния света проводили на собственных и легированных образцах. Наблюдался сдвиг пика фононного рассеяния первого порядка, что объяснялось высоким уровнем легирования. Уровень легирования был рассчитан путем сравнения с литературными данными. Мы также наблюдали разницу между собственным и легированным образцом в области фононного рассеяния второго порядка. Здесь виден интенсивный пик для легированных образцов. Этот пик был приписан связи между германием и изотопом бора 11В.

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net , 

отправьте нам электронное письмо по адресу  sales@powerwaywafer.com  или  powerwaymaterial@gmail.com