Неполярные слои a-плоскости и m-плоскости aln выращивались на 6-дюймовых подложках на плоскости и m-плоскости с помощью низкопоточной гидридной парофазной эпитаксии (lp-hvpe) соответственно. были исследованы эффекты температуры роста. результаты показали, что шероховатость поверхности уменьшалась за счет увеличения температуры как для слоев а-плоскости, так и для m-плоскости. морфологическая анизотропия в плоскости была обнаружена с помощью сканирующей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии, которая использовалась для изображения морфологических и структурных переходов с температурой. анизотропия в кривых рентгеновского качания на оси также была обнаружена с помощью рентгеновской дифракции высокого разрешения. однако, по сравнению с слоем а-плоскости aln, гладкая поверхность была легко получена для слоя m-плоскости aln с хорошим кристаллическим качеством. оптимальная температура была ниже для слоя m-плоскости aln, чем для слоя a-плоскости aln. характеристики напряжений неполярных слоев aln изучались с использованием поляризованных спектров Рамана. результаты показали наличие анизотропных напряжений в плоскости внутри эпитаксиальных неполярных слоев aln.

ключевые слова

a1. анизотропия в плоскости; a1. неполярная; a1. спектр Рамана; a3. гидридная парофазная эпитаксия; Би 2. a-плоскость и m-плоскость aln; Би 2. субстрат

Источник: ScienceDirect

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: www.powerwaywafer.com , пришлите нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,