мы сообщаем об увеличении экситаксической химии белой бесклеточной нанопроволоки на основе цинк-обманки. выращенный InSb сегменты - это верхние части InAs / insb на подложках inas (111) b. мы показываем, посредством анализа hrtem, что инкрустацию цинковой обманкой можно выращивать без каких-либо дефектов кристалла, таких как дефекты упаковки или плоскости двойникования. анализ деформационной карты демонстрирует, что сегмент insb почти расслаблен в пределах нескольких нанометров от интерфейса. в результате исследований после роста мы обнаружили, что состав частиц катализатора представляет собой auin2, и его можно варьировать до сплава auin путем охлаждения образцов под потоком tdmasb.
Источник: iopscience
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:http://www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com илиpowerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
