-
gan шаблоны
Продукты шаблона pam-xiamen состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (гана), нитрида алюминия (aln), нитрида алюмини галлия (algan) и нитрида галлия индия (ingan), которые осаждаются на сапфировые подложки, кремниевый карбид или кремний. Продукты шаблона pam-xiamen позволяют сократить время цикла эпитаксии на 20-50% и слоты более высокого качества эпитаксиальных устройств с лучшим качеством конструкции и более высокой теплопроводностью, что может улучшить устройства по стоимости, производительности и производительности. -
автономный газовый субстрат
pam-xiamen установила технологию изготовления для автономной (галлиево-нитридной) пластины подложки gan, которая предназначена для uhb-led и ld. выращенный методом гидридной парофазной эпитаксии (hvpe), наш газовый субстрат имеет низкую плотность дефектов. -
на основе эпитаксиальной пластины
Эпитаксиальная пластина на основе ламината pam-xiamen's (галлиевого нитрида) предназначена для применения в ультра-высокой яркости синего и зеленого светодиодов (светодиодных) и лазерных диодов (ld). -
gan hemt эпитаксиальная пластина
нитрид галлия (gan) (транзисторы с высокой электронной подвижностью) являются следующим поколением высокочастотной транзисторной технологии. Благодаря технологии gan, pam-xiamen теперь предлагает epig wafer algan / gan на сапфире или кремнии и шаблон algan / gan на сапфире , -
газы (арсенид галлия)
pwam разрабатывает и производит составные полупроводниковые подложки - кристалл арсенида галлия и вафли. Мы использовали передовые технологии выращивания кристаллов, технологию вертикальной градиентной заморозки (vgf) и технологии обработки валов gaas, создали производственную линию от роста кристаллов, резки, шлифования до обработки полировки и построили чистая комната класса 100 для очистки и упаковки пластин. наша гаасовая пластина включает в себя слитки / пластины 2 ~ 6 дюймов для приложений led, ld и microelectronics. Мы всегда стремимся улучшить качество существующих подстанций и разрабатывать подложки большого размера. -
Нанофабрикация
pam-xiamen предлагает фоторезистскую пластину с фоторезистом мы можем предложить нанолитографию (фотолитография): подготовка поверхности, фоторезист, мягкое выпекание, выравнивание, экспозиция, разработка, твердый выпекание, разработка инспекции, травление, удаление фоторезиста (полоска), окончательная проверка.горячие теги : фотолитография Нанофабрикация изготовление вафель фоторезиста производство полупроводников изготовление вафель
-
inp wafer
xiamen powerway предлагает inp wafer - фосфид индия, которые выращивают по lec (жидкий инкапсулированный czochralski) или vgf (вертикальное градиентное замораживание) в виде эпи-готового или механического сорта с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или ( 100).горячие теги : inp wafer inp субстрат пластина фосфида индия фосфидный субстрат цена на дюйм производители фосфида индия
-
встроенная пластина
xiamen powerway предлагает инсультовую антимонид - индия, которые выращивают на лье (жидкий инкапсулированный czochralski) как эпи-готовый или механический класс с n-типом, p-типом или полуизоляцией в различной ориентации (111) или (100).горячие теги : встроенная пластина подложка антимонидная пластина индия антимонидный субстрат индия свойства антимонида индия цена на вкладыш
Контактная информация
+86-592-5601 404