мы предоставляем ingaasp / ingaas epi на подложках inp следующим образом:

1.структура: 1.55um ingaasp qw laser

2.Specification:

1) метод: mocvd

2) размер пластины: 2 \"

3) рост ingaasp / ingaas на подложках inp

4) 3-5 типов составного состава

5) допуск до +/- 5 нм, pl std. девиация \u0026 lt; 3 нм через пластину (с зоной исключения 5 мм от окружности пластины)

6) диапазон целевого диапазона 1500 нм.

7) целевой штамм -1,0% +/- 0,1% (деформация сжатия)

8) нет. слоев: 8-20

9) общая толщина роста: 1,0 ~ 3,0 мкм

10) измеряемые параметры: измерение дифракции рентгеновских лучей (толщина, деформация), спектр фотолюминесценции (однородность pl, pl), профилирование концентрации носителей

мы сравниваем время жизни фоторецептора, измеренное в br-облученных ингасах и холодном имплантированном ingaasp. мы также демонстрируем возможность процесса двухфотонного поглощения (tpa) в эрах: гааз. время жизни и tpa измерялись с оптоволоконной установкой дифференциальной передачи (Δt) с временным разрешением 1550 нм. материалы на основе ингаса показывают положительный Δt с субпикосекундным временем жизни, тогда как eras: gaas показывает отрицательный Δt, согласующийся с процессом двухфотонного поглощения.

источник: semiconductorwafers.net

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,

s завершите нас по электронной почте angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,