пленок арсенида индия выращивали методом электроосаждения при низкой температуре на подложке оксида олова (sno2). рентгеновские дифракционные исследования показали, что образовавшиеся пленки плохо кристаллизованы, а термическая обработка улучшает кристалличность пленок inas. атомно-силовые микроскопические измерения показали, что поверхность пленки Inas образована частицами, для которых размер зерна зависит от параметров электролиза; мы обнаружили, что размер зерна увеличивается с плотностью тока электролиза. измерения поглощения показывают, что энергия запрещенной зоны краснеть с увеличением размера частиц. этот результат можно интерпретировать как следствие эффекта квантового удержания на носители в нанокристаллитах.
Источник: iopscience
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: Http: // http://www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.co м
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
