Главная / Новости /

оптическая эмиссионная спектроскопия осаждения атомного слоя с фосфатом галлия

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

оптическая эмиссионная спектроскопия осаждения атомного слоя с фосфатом галлия

2018-06-27

способность оптической эмиссионной спектроскопии для изучения in situ и контроля осаждения атомного слоя плазмой (pe-ald)фосфид галлияиз фосфина и триметилгаллия, переносимых водородом. изменение состава газа во время процесса pe-ald контролировалось in situ измерениями интенсивности оптического излучения для линий фосфина и водорода. для процесса pe-ald, где стадии осаждения фосфора и галлия разделены во времени, наблюдалось отрицательное влияние избыточного накопления фосфора на стенках камеры. действительно, фосфор, осажденный на стенках во время фазы разложения ph3, вытравливается водородной плазмой на следующей стадии разложения триметилгаллия, что приводит к неконтролируемому и нежелательному традиционному плазменному химическому осаждению из паровой фазы. для уменьшения этого эффекта было предложено ввести стадию травления водородной плазмой, что позволяет тратьем избытка фосфора до начала стадии осаждения галлия и достижения режима роста осаждения атомного слоя.


Источник: iopscience


Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:http://www.semiconductorwafers.net,

отправьте нам письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.cомилиpowerwaymaterial@gmail.com



свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.