Главная / Новости /

механизмы повышения эффективности пирамидоподобных сквозных дырочных встраиваемых солнечных элементов на основе газы, выращенных на пластине

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

механизмы повышения эффективности пирамидоподобных сквозных дырочных встраиваемых солнечных элементов на основе газы, выращенных на пластине

2018-01-12

Основные моменты

• для уменьшения текущего пути на солнечных батареях gaas / si использовалась утопленная структура.

• связанное последовательное сопротивление было уменьшено за счет утопленной структуры.

• потери рекомбинации носителей были улучшены благодаря пирамидальной утопленной структуре.


в этом исследовании эпитаксиальные слои солнечных элементов, основанных на газе, выращивались на s-подложках с использованием молекулярно-пучковой эпитаксиальной системы. пирамида, подобная сквозной конструкции с дырочным углублением, была изготовлена ​​на обратной стороне подложки si для улучшения характеристик полученных солнечных элементов. так как текущий путь был эффективно уменьшен за счет сквозной сквозной дырочной структуры, связанное последовательное сопротивление и потеря рекомбинации несущей в результате образования солнечных элементов gaas / si уменьшались. следовательно, повышение эффективности преобразования 21,8% солнечных элементов гааса / si с помощью сквозной сквозной структуры было получено за счет улучшения плотности тока короткого замыкания и коэффициента заполнения по сравнению с обычными солнечными батареями gaas / si.

Image for unlabelled figure


ключевые слова

gaas / si солнечные элементы; низкотемпературный метод атомного слоя эпитаксии; молекулярно-лучевая эпитаксиальная система; дырочная утопленная структура


Источник: ScienceDirect


Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт : www.powerwaywafer.com , отправьте нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com ,


свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.