gaas wafer субстрат - арсенид галлия
количество
материал
ориентации.
диаметр
толщина
полировать
удельное сопротивление
тип добавка
Северная Каролина
мобильность
EPD
штук
(Мм)
(Мкм)
Ω · см
\u0026 ЕПРС;
а / см3
см2 / против
/ см2
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 25,40
4000 ± 50
дсп
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
\u0026 Lt; 1e5
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50,70
350-370
подвид
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
\u0026 GT; 3500
\u0026 Л; 10000
1-100
СаАз
(100) 2 ° ± 0,50 (011)
usd 50,70
350 ± 10
подвид
(0.8-9) е -3
п / Si
(8) е17
2000-3000
\u0026 Л; 5000
1-100
СаАз
(100) 6 ° ± 0,50 (011)
usd 50,70
350 ± 20
подвид
(0.8-9) × 10 -3
п / Si
(0,2-4) е18
≥1000
≤5000
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
usd 350.00
подвид
н /
р / гп
(1-5) E19
н /
\u0026 Л; 5000
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
5000 ± 50
подвид
\u0026 GT; 1E8
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
4000 ± 50
подвид
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
8000 ± 10
как вырезать
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
8000 ± 10
дсп
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
(100) 2 °
usd 50.80
usd 3,000.00
подвид
\u0026 GT; 1e7
п / Si
н /
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
350 ± 25
подвид
\u0026 GT; 1e7
н /
(1-5) E19
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 50.80
350 ± 25
подвид
н /
н /
(0.4-3.5) е18
≥1400
≤100
1-100
СаАз
(100) 0 ° или 2 °
usd 76.20
130 ± 20
дсп
н /
нелегированный
н /
н /
\u0026 Л; 10000
1-100
СаАз
(100) 2 ° ± 0,50
usd 76.20
350 ± 25
подвид
н /
п / Si
(0,4-2,5) е18
н /
≤5000
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 76.20
350 ± 25
подвид
н /
н /
н /
н /
н /
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 76.20
350 ± 25
подвид
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
≤8e4 или 1e4
1-100
СаАз
usd -100.00
usd 76.20
625 ± 25
дсп
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
≥4500
≤8e4 или 1e4
1-100
СаАз
(100) 2 ° ± 0,10 (110)
usd 76.20
usd 500,00
подвид
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
(100) 2 °
usd 100.00
usd 625,00
дсп
\u0026 GT; 1e7
нелегированный
н /
н /
н /
1-100
СаАз
(100) 2 °
usd 100.00
625 ± 25
дсп
н /
н /
н /
н /
н /
1-100
СаАз
(100) 2 ° ± 0,50 (011)
usd 100.00
350 ± 25
подвид
н /
п / Si
(0.4-3.5) е18
н /
≤5000
1-100
СаАз
(100) 2 ° ± 0,10 (110)
usd 100.00
625 ± 25
дсп
свяжитесь с нами