на основе физических аналитических моделей, основанных на уравнении Пуассона, уравнениях дрейфовой диффузии и непрерывности, вольт-амперные характеристики 6h-так а также 4h-так Моделируются шоттки диода с контактами ni и ti schottky. на основе анализа вольт-амперных характеристик в терминах классической теории термоэлектронных излучений показано, что предлагаемая имитационная модель диода Шоттки соответствует почти «идеальному» диоду с коэффициентом идеальности n равным 1,1. из-за этого определяется, что эффективный уровень шума шотки барьера равен 1,57 эв и 1,17 эв для титаноидного типа диоксида кремния карбида ти / 6h и ti / 4h соответственно.
Источник: iopscience
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетитенаш сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com