что ты ищешь?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

Главная / Новости /

Настройка полярности переноса заряда в нанопроволоках InSb с помощью термообработки

Новости

категории

Рекомендуемые продукты

последние новости

Настройка полярности переноса заряда в нанопроволоках InSb с помощью термообработки

2019-04-02

Массивы нанопроволок InSb (NW) были приготовлены импульсным электроосаждением в сочетании с методом пористого шаблона. Полученный поликристаллический материал имеет стехиометрический состав (In:Sb = 1:1) и высокое отношение длины к диаметру. На основе комбинации анализа инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье (FTIR) и измерений полевых эффектов были исследованы ширина запрещенной зоны, полярность носителей заряда, концентрация носителей, подвижность и эффективная масса для ННК InSb . В этой предварительной работе наблюдался переход от p-типа к n-переносу заряда при отжиге ННК InSb .

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,

отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com

свяжитесь с нами

если вам нужна цитата или дополнительная информация о наших продуктах, пожалуйста, оставьте нам сообщение, ответьте как можно скорее.