В данной работе мы представляем результаты теоретического и экспериментального исследования показателя преломления и поглощения при комнатной температуре нелегированного эпитаксиального слоя GaSb толщиной 4 мкм, нанесенного на подложку GaAs . Выведена теоретическая формула оптического пропускания через эталон с учетом конечной длины когерентности света. Эта формула использовалась для анализа измеренных спектров пропускания. Показатель преломления определяли в широком спектральном диапазоне от 0,105 до 0,715 эВ. Поглощение определяли для энергий фотонов от 0,28 эВ до 0,95 эВ. В спектре поглощения наблюдался хвост Урбаха, а также постоянный рост поглощения в области спектра выше запрещенной зоны.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
