Вакансии Cd в кристаллах теллурида кадмия-цинка (CdZnTe) оказывают существенное влияние на свойства кристаллов. В данной работе распределение положения и изменение концентрации вакансии Cd в кристалле CdZnTe , выращенном методом выращивания в градиенте температуры (TGSG), исследовалось с помощью технологии аннигиляции позитронов (PAT), основанной на распределении потенциальной энергии и плотности вероятности позитрона в кристалл. Результаты показали, что плотность вакансий Cd явно увеличивалась от первого замораживания до стабильного роста слитков, в то время как уменьшалась вдоль радиального направления слитков.
Источник: IOPscience
Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
