algainp используется в производстве светоизлучающих диодов с высоким яркости красного, оранжевого, зеленого и желтого цветов, чтобы образовать излучающий свет гетероструктуры. он также используется для изготовления диодных лазеров.
algainp часто выращивают гетероэпитаксией на арсениде галлия или фосфиде галлия, чтобы сформировать структуру квантовой ямы.
спецификации пластин algainp на чипах
algainp led wafer для чипа
item no.:pam-cayg1101
Габаритные размеры:
техника роста - mocvd
материал субстрата: арсенид галлия
проводимость подложки: n тип
Диаметр: 2\"
● размеры чипа:
1) размер обломока: фронт размер: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)
задняя сторона: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)
2) толщина стружки: 7mil (± 1mil)
3) размер прокладки: 4 мил (± 0,5 мил)
4): см. 1-1
● фотоэлектрические свойства
|
параметр |
состояние |
минимум |
станд. |
Максимум. |
Ед. изм |
|
прямое напряжение ( VF1 ) |
если = 10мкА |
1,35 |
﹎ |
﹎ |
v |
|
прямое напряжение ( VF2 ) |
если = 20ma |
﹎ |
﹎ |
2,2 |
v |
|
Обратное напряжение ( Л.Р. ) |
вр = 10v |
﹎ |
﹎ |
2 |
мкА |
|
доминирующий длина волны ( λ г) |
если = 20ma |
565 |
﹎ |
575 |
нм |
|
FWHM ( Δλ ) |
если = 20ma |
﹎ |
10 |
﹎ |
нм |
● интенсивность света:
|
код |
ЖХ |
л.д. |
ле |
Л.Ф. |
Л.Г. |
ЛХ |
литий |
|
IV (мкд) |
20-30 |
25-35 лет |
30-35 |
35-50 |
40-60 |
50-70 |
60-80 |
зонный зазор напряженного альгинаина на подложке гааса
в этом уроке мы хотим изучить полосовые зазоры напряженного alxgayin1-x-yp на подложке гааса.
параметры материала взяты из
зонные параметры для полупроводниковых полупроводников и их сплавов
я. vurgaftman, j.r. meyer, l.r. набегающего мохан
к. заявл. Phys. 89 (11), 5815 (2001)
для понимания влияния деформации на запрещенную зону на отдельные компоненты этого четвертичного мы сначала рассмотрим влияние на
|
1) ALP |
натянутый tensilely |
в отношении СаАз |
|
2) разрыв |
натянутый tensilely |
в отношении СаАз |
|
3) вх |
натянутый компрессивно |
в отношении СаАз |
|
4) аль Икс Джорджия 1-х п |
натянутый tensilely |
в отношении СаАз |
|
5) га Икс в 1-х п |
натянутый |
в отношении СаАз |
|
6) аль Икс в 1-х п |
натянутый |
в отношении СаАз |
|
7) аль 0,4 Джорджия 0.6 п |
натянутый tensilely |
в отношении СаАз |
|
8) га 0,4 в 0.6 п |
натянутый компрессивно |
в отношении СаАз |
|
9) аль 0,4 в 0.6 п |
натянутый компрессивно |
в отношении СаАз |
каждый слой материала имеет длину 10 нм в моделировании.
слои материала 4), 5) и 6) линейно изменяют содержание его сплава:
|
4) аль Икс Джорджия 1-х п от 10 нм до 20 нм от x = 0,0 до x = 1,0 |
|
5) га Икс в 1-х п от 30 нм до 40 нм от x = 0,0 до x = 1,0 |
|
6) аль Икс в 1-х п от 50 нм до 60 нм от x = 1,0 до x = 0,0 |
показатель преломления альгинаина
источник: pam-xiamen
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,
s завершите нас по электронной почте luna@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
