alpainp во главе чипа
оранжевая светодиодная пластина подложка:
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
р + GaAs
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
р-разрыв
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
п-AlGaInP
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
MQW
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
н-AlGaInP
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
DBR н-AlGaAs / AlAs
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
буфер
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
гааз-субстрат
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
· чип sepcification (основание на 7 милях * 7 мил чипов)
параметр
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
размер чипа
7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil)
толщина
7mil (± 1mil)
p электрод
ед / л
\u0026 ЕПРС;
n электрод
а.е.
\u0026 ЕПРС;
состав
такие как справа показано
· Оптико-Elctric персонажи
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
параметр
состояние
минимум
типовое
Максимум.
Ед. изм
прямое напряжение
я е = 10мкА
1,35
┄
┄
v
Обратное напряжение
я е = 20 мА
┄
┄
2,2
v
обратный ток
v = 10v
┄
┄
2
мкм
длина волны
я е = 20 мА
565
┄
575
нм
ширина полуволны
я е = 20 мА
┄
10
┄
нм
·Интенсивность света персонажи
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
\u0026 ЕПРС;
код яркости
ля
фунт
ЖХ
л.д.
ле
Л.Ф.
Л.Г.
ЛХ
IV (мкд)
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-50
50-60
источник: semiconductorwafers.net
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: http://www.semiconductorwafers.net ,
отправьте нам письмо по адресу angel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com ,
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
