последние обзоры в развитии эпитаксиальных sic-фильмов на si. обсуждаются основные классические методы, используемые в настоящее время для роста sic-фильмов, и изучаются их преимущества и недостатки. дана основная идея и теоретический фон для нового метода синтеза эпитаксиальных sic-пленок на si. будет показано, что новый метод существенно отличается от классических методов тонкопленочного роста, ...
по-прежнему большой проблемой для полупроводниковых устройств является получение эффекта большого магнитосопротивления (mr) при малом магнитном поле при комнатной температуре. в настоящей работе фотоиндуцированные mr-эффекты при различных интенсивностях освещения при комнатной температуре исследуются в полуизолирующий арсенид галлия ( си-GaAs ) на основе ag / si-gaas / ag. устройство подвергается ...
Облучение ионного пучка было рассмотрено как способ создания наноразмерных полупроводниковых столбчатых и конусообразных структур, но имеет недостаток в неточном размещении наноструктур. Мы сообщаем о методе создания и шаблонирования наноразмерных InAs спайки путем фокусированного ионного пучка (FIB) облучения как гомоэпитаксиальных пленок InAs, так и гетероэпитаксиальных InAs на подложках InP. Эт...
развитие силового полупроводникового рынка SiC и GaN Текущее состояние технологии и рынка SiC и тенденции развития в ближайшие несколько лет. Рынок устройств SiC является многообещающим. Продажа барьера Шоттки диоды созревают, а поставки MOSFET, как ожидается, значительно возрастут в течение следующих трех лет. По мнению аналитиков Yole Développement, SiC очень зрелые с точки зрения диодов, а GaN ...
В данной работе, используя полностью связанный трехмерный имитатор электротермического устройства, мы изучаем механизм снижения эффективности при работе с большими токами в плоской плоскости. гa N-светоизлучающие диоды (СВЕТОДИОД). В частности, было продемонстрировано улучшение снижения эффективности при использовании более толстых проводящих GaN-подложек. Во-первых, установлено, что локальный джо...
Мы представляем бесконтактный метод для определения времени теплового отклика датчиков температуры, встроенных в пластины. В этом методе импульсная лампа освещает пятно на пластине периодическими импульсами; пятно находится на противоположной стороне от тестируемого датчика. Тепловая постоянная времени датчика затем получается из измерения его временного отклика вместе с теоретической моделью тепл...
Ортогональные эксперименты роста пленок GaSb на GaAs подложка были разработаны и выполнены с использованием системы осаждения паров металлов и органических паров низкого давления (LP-MOCVD). Кристалличность и микроструктура полученных пленок были сравнительно проанализированы для достижения оптимальных параметров роста. Было продемонстрировано, что оптимизированная тонкая пленка GaSb имеет узкую п...
Мы улучшили эффективность фотопроводящих антенн (PCA) с использованием низкотемпературного GaAs (LT-GaAs). Мы обнаружили, что физические свойства фотопроводящих слоев LT-GaAs сильно влияют на характеристики генерации и обнаружения терагерцовых (ТГц) волн. В терагерцовой генерации двумя важными факторами являются высокая подвижность фотовозбужденных носителей и наличие нескольких кластеров мышьяка ...
Контактная информация
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
